| | Примечание: | Рубрика 21/70 имеет преимущество перед рубриками 21/02-21/67. [2] |
|
| | 21/02 | . | изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей [2,8] |
| | 21/027 | . . | образование маски на полупроводниковой подложке для дальнейшей фотолитографической обработки, не отнесенное к рубрикам 21/18 или 21/34[5] |
| | 21/033 | . . | . | с неорганическими слоями [5] |
| | 21/04 | . . | приборов, имеющих хотя бы один потенциальный барьер, на котором осуществляется скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например p-n-переход, обедненный слой, слой с повышенной концентрацией носителей [2] |
| | 21/06 | . . | . | приборов с полупроводниковыми подложками, содержащими селен или теллур в несвязанной форме, если они не являются примесями в полупроводниковой подложке из другого материала [2] |
| | 21/08 | . . | . . | подготовка пластины основания [2] |
| | 21/10 | . . | . . | предварительная обработка селена или теллура, наложение их на пластину основания и последующая обработка этой комбинации [2] |
| | 21/103 | . . | . . | . | придание селену или теллуру электропроводности [2] |
| | 21/105 | . . | . . | . | обработка поверхности слоя селена или теллура после придания ему электропроводности [2] |
| | 21/108 | . . | . . | . | получение отдельных диэлектрических слоев, т.е. искусственных потенциальных барьеров [2] |
| | 21/12 | . . | . . | наложение электродов на поверхность селена или теллура, после наложения селена или теллура на пластину основания [2] |
| | 21/14 | . . | . . | обработка законченного прибора, например путем электроформования с целью образования потенциального барьера [2] |
| | 21/145 | . . | . . | . | старение [2] |
| | 21/16 | . . | . | приборов, в которых полупроводниковые подложки содержат оксид или йодид меди [2] |
| | 21/18 | . . | . | приборов, в которых полупроводниковые подложки содержат элементы четвертой группы периодической системы или соединения AIIIBV с примесями или без них, например материалы с легирующими добавками [2,6,7] |
| | Примечание: | К этой группе относятся также способы и устройства, которые при использовании соответствующей технологии могут применяться для изготовления или обработки устройств, в телах или подложках которых содержатся элементы четвертой группы Периодической Системы или соединения AIIIBV, даже если используемый материал конкретно не указан. [7] |
|
| | 21/20 | . . | . . | нанесение полупроводниковых материалов на подложку, например эпитаксиальное наращивание [2] |
| | 21/203 | . . | . . | . | физическим осаждением или напылением, например вакуумным распылением или разбрызгиванием [2] |
| | 21/205 | . . | . . | . | разложением газовой смеси с выходом твердого конденсата или химическим осаждением [2] |
| | 21/208 | . . | . . | . | жидкостным напылением [2] |
| | 21/22 | . . | . . | диффузия примесных материалов, например легирующих и электродных материалов, в полупроводниковую подложку или из нее или между полупроводниковыми областями; перераспределение примесей, например без введения или удаления добавочной легирующей примеси |
| | 21/223 | . . | . . | . | диффузия из твердой фазы в газовую или из газовой фазы в твердую [2] |
| | 21/225 | . . | . . | . | диффузия из твердой фазы в твердую фазу или обратно, например легирование оксидного слоя [2] |
| | 21/228 | . . | . . | . | диффузия из твердой фазы в жидкую или обратно, например процессы сплавной диффузии [2] |
| | 21/24 | . . | . . | сплавление примесей, например легирующих и электродных материалов, с полупроводниковой подложкой [2] |
| | 21/26 | . . | . . | воздействие волновым излучением или излучением частиц (тепловое излучение 21/324) [2] |
| | 21/261 | . . | . . | . | для осуществления превращения химических элементов в результате ядерной реакции [6] |
| | 21/263 | . . | . . | . | с высокой энергией (21/261 имеет преимущество) [2,6] |
| | 21/265 | . . | . . | . . | с внедрением ионов (трубки с ионным пучком для локальной обработки H 01J 37/30) [2] |
| | 21/266 | . . | . . | . . | . | с использованием масок [5] |
| | 21/268 | . . | . . | . . | с использованием электромагнитного излучения, например лазерного [2] |
| | 21/28 | . . | . . | изготовление электродов на полупроводниковых подложках с использованием способов и устройств, не предусмотренных в 21/20-21/268 [2] |
| | 21/283 | . . | . . | . | осаждением электропроводящих или диэлектрических материалов для электродов [2] |
| | 21/285 | . . | . . | . . | из газа или пара, например способом конденсации [2] |
| | 21/288 | . . | . . | . . | из жидкости, например способом электролитического осаждения [2] |
| | 21/30 | . . | . . | обработка полупроводников с использованием способов и устройств, не предусмотренных в 21/20- 21/26 (изготовление электродов на полупроводниковых телах 21/28) [2] |
| | 21/301 | . . | . . | . | для подразделения полупроводниковой подложки на отдельные части, например образование перегородок (резка 21/304) [6] |
| | 21/302 | . . | . . | . | для изменения физических свойств или формы их поверхностей, например травление, полирование, резка [2] |
| | 21/304 | . . | . . | . . | механическая обработка, например шлифование, полирование, резка [2] |
| | 21/306 | . . | . . | . . | обработка химическими или электрическими способами, например электролитическое травление (для образования диэлектрических пленок 21/31; последующая обработка диэлектрических пленок 21/3105) [2] |
| | 21/3063 | . . | . . | . . | . | электролитическое травление [6] |
| | 21/3065 | . . | . . | . . | . | плазменное травление; ионное травление [6] |
| | 21/308 | . . | . . | . . | . | с использованием масок (21/3063,21/3065 имеют преимущество) [2,6] |
| | 21/31 | . . | . . | . | с целью образования диэлектрических слоев на полупроводниках, например для маскирования или с использованием фотолитографической технологии (для получения электродных слоев 21/28, герметизирующих слоев 21/56); последующая обработка этих слоев; выбор материалов для этих слоев [2,5] |
| | 21/3105 | . . | . . | . . | последующая обработка [5] |
| | 21/311 | . . | . . | . . | . | травление [5] |
| | 21/3115 | . . | . . | . . | . | легирование [5] |
| | 21/312 | . . | . . | . . | из органических веществ, например слоев фоторезиста (21/3105,21/32 имеют преимущество) [2,5] |
| | 21/314 | . . | . . | . . | из неорганических веществ (21/3105, 21/32 имеют преимущество) [2,5] |
| | 21/316 | . . | . . | . . | . | из оксидов, стекловидных оксидов или стекла на основе оксидов [2] |
| | 21/318 | . . | . . | . . | . | из нитридов [2] |
| | 21/32 | . . | . . | . . | с использованием масок [2,5] |
| | 21/3205 | . . | . . | . . | осаждение недиэлектрических слоев, например электропроводных, резистивных, на диэлектрические слои (устройства для проведения электрического тока внутри прибора 23/52); последующая обработка этих слоев (изготовление электродов 21/28) [5] |
| | 21/321 | . . | . . | . . | . | последующая обработка [5] |
| | 21/3213 | . . | . . | . . | . . | физическое или химическое травление слоев, например для образования формы слоя из предварительно нанесенного слоя, образующего фактор экстенсивности [6] |
| | 21/3215 | . . | . . | . . | . . | легирование [5] |
| | 21/322 | . . | . . | . | для модификации их характеристик, например для образования внутренних дефектов кристаллической решетки [2] |
| | 21/324 | . . | . . | . | термическая обработка для модификации характеристик полупроводниковых подложек, например отжиг или спекание (21/20-21/288 и 21/302- 21/322 имеют преимущество) [2] |
| | 21/326 | . . | . . | . | применение электрического тока или электрических полей, например для электроформования (21/20-21/288 и 21/302-21/324 имеют преимущество) [2] |
| | 21/328 | . . | . . | многоступенчатые процессы для изготовления биполярных приборов, например диодов, транзисторов, тиристоров [5] |
| | 21/329 | . . | . . | . | приборов, имеющих один или два электрода, например диодов [5] |
| | 21/33 | . . | . . | . | приборов, имеющих три или более электродов [5] |
| | 21/331 | . . | . . | . . | транзисторов [5] |
| | 21/332 | . . | . . | . . | тиристоров [5] |
| | 21/334 | . . | . . | многоступенчатые процессы для изготовления униполярных приборов [5] |
| | 21/335 | . . | . . | . | полевых транзисторов [5] |
| | 21/336 | . . | . . | . . | с изолированным затвором [5] |
| | 21/337 | . . | . . | . . | с управляющим p-n-переходом [5] |
| | 21/338 | . . | . . | . . | с затвором в виде барьера Шотки [5] |
| | 21/339 | . . | . . | . | приборов с переносом зарядов [5,6] |
| | 21/34 | . . | . | изготовление приборов на полупроводниковых подложках с примесями или без них, например с примесями легирующих материалов, кроме приборов, предусмотренных в 21/06,21/16 и 21/18[2] |
| | 21/36 | . . | . . | нанесение полупроводниковых материалов на подложку, например эпитаксиальное наращивание [2] |
| | 21/363 | . . | . . | . | с использованием физического осаждения, например вакуумного осаждения или напыления [2] |
| | 21/365 | . . | . . | . | с использованием разложения газовых смесей с выходом твердого конденсата, т.е. химическое осаждение [2] |
| | 21/368 | . . | . . | . | с использованием жидкостного осаждения [2] |
| | 21/38 | . . | . . | диффузия примесных материалов, например легирующих и электродных материалов в полупроводниковую подложку или из нее, или между полупроводниковыми областями [2] |
| | 21/383 | . . | . . | . | диффузия в твердую фазу из газовой фазы, или обратная диффузия [2] |
| | 21/385 | . . | . . | . | диффузия в твердую фазу из твердой фазы, или обратная диффузия, например процесс добавления присадок к окисному слою [2] |
| | 21/388 | . . | . . | . | диффузия в твердую фазу из жидкой фазы, или обратная диффузия, например процессы сплавной диффузии [2] |
| | 21/40 | . . | . . | сплавление примесных материалов, например легирующих материалов, материалов электродов, с полупроводниковой подложкой [2] |
| | 21/42 | . . | . . | воздействие излучением [2] |
| | 21/423 | . . | . . | . | высокой энергией [2] |
| | 21/425 | . . | . . | . . | с внедрением ионов (трубки с ионным пучком для локальной обработки H 01J 37/30) [2] |
| | 21/426 | . . | . . | . . | . | с использованием масок [5] |
| | 21/428 | . . | . . | . . | с использованием электромагнитного излучения, например лазерное излучение [2] |
| | 21/44 | . . | . . | изготовление электродов на полупроводниковых подложках с использованием способов или устройств, не предусмотренных в 21/36-21/428 [2] |
| | 21/441 | . . | . . | . | осаждением электропроводящих и диэлектрических материалов для электродов [2] |
| | 21/443 | . . | . . | . . | из газа или пара, например конденсацией [2] |
| | 21/445 | . . | . . | . . | из жидкости, например электролитическим осаждением [2] |
| | 21/447 | . . | . . | . | с использованием давления, например соединение с помощью теплового сжатия (21/607 имеет преимущество) [2] |
| | 21/449 | . . | . . | . | с использованием механических колебаний, например ультразвуковых [2] |
| | 21/46 | . . | . . | обработка полупроводниковых подложек с использованием способов, не предусмотренных в 21/36-21/428 (изготовление электродов на них 21/44) [2] |
| | 21/461 | . . | . . | . | для изменения формы или поверхностных физических характеристик, например травлением, полированием или резкой [2] |
| | 21/463 | . . | . . | . . | обработка механическими способами, например шлифованием, ультразвуком [2] |
| | 21/465 | . . | . . | . . | обработка химическими или электрическими способами, например электролитическое травление (для формования диэлектрического слоя 21/469) [2] |
| | 21/467 | . . | . . | . . | . | с использованием масок [2] |
| | 21/469 | . . | . . | . . | для образования на них диэлектрических слоев, например для маскирования или с использованием фотолитографической технологии (слоев, образующих электроды 21/44, герметизирующих слоев 21/56); последующая обработка этих слоев [2,5] |
| | 21/47 | . . | . . | . . | . | из органических веществ, например слоев фоторезиста (21/475,21/4757 имеют преимущество) [2,5] |
| | 21/471 | . . | . . | . . | . | из неорганических веществ (21/475, 21/4757 имеют преимущество) [2,5] |
| | 21/473 | . . | . . | . . | . . | состоящих из оксидов, стекловидных оксидов или на основе оксидов стекла [2] |
| | 21/475 | . . | . . | . . | . | с использованием масок [2,5] |
| | 21/4757 | . . | . . | . . | . | последующая обработка [5] |
| | 21/4763 | . . | . . | . . | осаждение недиэлектрических слоев, например электропроводных, резистивных, на диэлектрические слои; последующая обработка этих слоев (изготовление электродов 21/28) [5] |
| | 21/477 | . . | . . | . | термическая обработка для модификации свойств полупроводниковых подложек, например отжигом, спеканием (21/36-21/449 и 21/461-21/475 имеют преимущество) [2] |
| | 21/479 | . . | . . | . | обработка с использованием электрического тока или электрических полей, например для электроформования (21/36-21/449 и 21/461- 21/477 имеют преимущество) [2] |
| | 21/48 | . . | . | изготовление или обработка частей, например корпусов, до сборки прибора, с использованием способов, не предусмотренных ни одной из подгрупп 21/06-21/326 (корпуса, герметизирующие оболочки, заполнение, монтаж как таковые 23/00) [2] |
| | 21/50 | . . | . | сборка полупроводниковых приборов с использованием способов или устройств, не предусмотренных ни одной из подгрупп 21/06- 21/326 [2] |
| | 21/52 | . . | . . | монтаж полупроводниковой подложки в корпусе [2] |
| | 21/54 | . . | . . | заполнение корпуса, например газом [2] |
| | 21/56 | . . | . . | герметизация, например пленками или покрытиями [2] |
| | 21/58 | . . | . . | крепление полупроводникового прибора на опоре [2] |
| | 21/60 | . . | . . | присоединение проводов или других электропроводящих элементов, используемых для подвода или отвода тока в процессе работы прибора [2] |
| | 21/603 | . . | . . | . | с использованием давления, например соединение тепловым сжатием (21/607 имеет преимущество) [2] |
| | 21/607 | . . | . . | . | с использованием механических колебаний, например ультразвуковых колебаний [2] |
| | 21/62 | . . | приборы, не имеющие потенциального барьера, на котором осуществляется скачкообразное изменение потенциала, или поверхностного барьера [2] |
| | 21/64 | . | изготовление или обработка приборов на твердом теле, иных чем полупроводниковые, или их частей, не предназначенные только для данного типа приборов, предусмотренных в группах 31/00-51/00 [2,8] |
| | 21/66 | . | испытания или измерения в процессе изготовления или обработки (после изготовления G 01R 31/26) [2] |
| | 21/67 | . | устройства, специально предназначенные для манипулирования полупроводниковыми или электронными устройствами на твердом теле при их изготовлении или обработке; устройства, специально предназначенные для манипулирования полупроводниковыми пластинами при изготовлении или обработке полупроводниковых или электрических устройств на твердом теле или их компонентов [8] |
| | 21/673 | . . | с использованием специальных держателей [8] |
| | 21/677 | . . | для транспортировки, например между различными рабочими местами [8] |
| | 21/68 | . . | для позиционирования, ориентирования и центрирования (для транспортировки 21/677) [2,8] |
| | 21/683 | . . | для поддержания или захвата (для позиционирования, ориентирования и центрирования 21/677, для изменения положения 21/68) [8] |
| | 21/687 | . . | . | с использованием механических средств, например зажимов, фиксаторов или захватов [8] |
| | 21/70 | . | изготовление и обработка приборов, состоящих из нескольких твердотельных компонентов или интегральных схем, сформированных на общей подложке или внутри нее, или их особых частей; изготовление приборов на интегральных схемах или их особых частей (изготовление блоков, состоящих из предварительно изготовленных электрических элементов, H 05K 3/00,H 05K 13/00) [2] |
| | 21/71 | . . | изготовление особых частей устройств, относящихся к группам 21/70 (21/28,21/44, 21/48 имеют преимущество) [6] |
| | 21/74 | . . | . | получение скрытых подложек с большим содержанием примесей, например скрытых коллекторных слоев, внутренних соединений [2] |
| | 21/76 | . . | . | получение изоляционных областей между компонентами [2] |
| | 21/761 | . . | . . | p-n переходов [6] |
| | 21/762 | . . | . . | диэлектрических областей [6] |
| | 21/763 | . . | . . | поликристаллических полупроводниковых областей [6] |
| | 21/764 | . . | . . | воздушных зазоров [6] |
| | 21/765 | . . | . . | с помощью полевого эффекта [6] |
| | 21/768 | . . | . | с применением межсоединений, используемых для пропускания тока между отдельными компонентами внутри прибора [6] |
| | 21/77 | . . | изготовление или обработка приборов, состоящих из нескольких твердотельных компонентов или интегральных схем, сформированных на общей подложке или внутри нее [6] |
| | 21/78 | . . | . | с последующим разделением подложки на несколько отдельных приборов (резка, изменяющая физические свойства поверхности или форму полупроводниковых элементов,21/304) [2,6] |
| | 21/782 | . . | . . | для получения приборов, каждый из которых состоит из отдельного электрического элемента (21/82 имеет преимущество) [6] |
| | 21/784 | . . | . . | . | на подложке из полупроводникового материала [6] |
| | 21/786 | . . | . . | . | на подложках из материалов иных, чем полупроводниковые, например изолирующих [6] |
| | 21/82 | . . | . . | для получения приборов, например интегральных схем, каждый из которых состоит из нескольких компонентов [2] |
| | 21/822 | . . | . . | . | полупроводниковых подложек с использованием кремниевой технологии (21/8258 имеет преимущество) [6] |
| | 21/8222 | . . | . . | . . | технология изготовления интегральных схем на биполярных транзисторах [6] |
| | 21/8224 | . . | . . | . . | . | содержащих комбинации из вертикальных и горизонтальных транзисторов [6] |
| | 21/8226 | . . | . . | . . | . | содержащих объединенную транзисторную логику или интегральную переходную логику [6] |
| | 21/8228 | . . | . . | . . | . | комплементарные приборы, например комплементарные транзисторы [6] |
| | 21/8229 | . . | . . | . . | . | структуры памяти [6] |
| | 21/8232 | . . | . . | . . | технология изготовления интегральных схем на полевых транзисторах [6] |
| | 21/8234 | . . | . . | . . | . | технология изготовления интегральных схем на MIS транзисторах [6] |
| | 21/8236 | . . | . . | . . | . . | комбинация обеднения или обогащения транзисторов [6] |
| | 21/8238 | . . | . . | . . | . . | на комплементарных полевых транзисторах, например КМОП-структуры [6] |
| | 21/8239 | . . | . . | . . | . . | структуры памяти [6] |
| | 21/8242 | . . | . . | . . | . . | . | динамические структуры памяти со случайным доступом (динамические ЗУПВ) [6] |
| | 21/8244 | . . | . . | . . | . . | . | статические структуры памяти со случайным доступом (статические ЗУПВ) [6] |
| | 21/8246 | . . | . . | . . | . . | . | структуры памяти только считывающие (ПЗУ) [6] |
| | 21/8247 | . . | . . | . . | . . | . . | электрически программируемые (СПЗУ) [6] |
| | 21/8248 | . . | . . | . . | комбинация технологий изготовления интегральных схем на биполярных транзисторах и полевых транзисторах [6] |
| | 21/8249 | . . | . . | . . | . | технология изготовления интегральных схем на биполярных транзисторах и МОП-структурах [6] |
| | 21/8252 | . . | . . | . | на подложке из полупроводникового материала с исользованием III-V технологии (21/8258 имеет преимущество) [6] |
| | 21/8254 | . . | . . | . | на подложке из полупроводникового материала с использованием II-VI технологии (21/8258 имеет преимущество) [6] |
| | 21/8256 | . . | . . | . | на подложке из полупроводникового материала с использованием технологий, не отнесенных к рубрикам 21/822,21/8252 или 21/8254 (21/8258 имеет преимущество) [6] |
| | 21/8258 | . . | . . | . | на подложке из полупроводникового материала с использованием комбинации технологий, рассматриваемых в рубриках 21/822,21/8252, 21/8254 или 21/8256 [6] |
| | 21/84 | . . | . . | . | на подложке из неполупроводникового материала, например диэлектрика [2,6] |
| | 21/86 | . . | . . | . . | с диэлектриком из сапфира, например структуры кремний на сапфире [2,6] |
| | 21/98 | . . | сборка прибора, состоящего из твердотельных элементов, сформированных на общей подложке; сборка интегральных схем (21/50 имеет преимущество; блоки приборов 25/00) [2,5] |
ЕАПО > РОСПАТЕНТ
> Международная патентная классификация
МПК7
