Международная патентная классификация

ЕАПО > РОСПАТЕНТ > Международная патентная классификация

Введение в МПК
Текст МПК⁸
A B C D E F G H

МПК⁷
МПК⁶
H
H01
H01L

IPC - English
IPC - France

Российская Федерация

H01L 31/00 - Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов (51/42 имеет преимущество; приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированных на общей подложке или внутри нее, кроме приборов, содержащих чувствительные к излучению компоненты, в комбинации с одним или несколькими электрическими источниками света 27/00; кровельные покрытия с приспособлениями для размещения и использования устройств для накопления или концентрирования энергии E 04D 13/18; получение тепловой энергии с использованием солнечного тепла F 24J 2/00; измерение интенсивности рентгеновского излучения, гамма-излучения, корпускулярного или космического излучения с помощью полупроводниковых детекторов G 01T 1/24; с помощью резистивных детекторов G 01T 1/26; измерение нейтронного излучения с помощью полупроводниковых детекторов G 01T 3/08; соединение световодов с оптоэлектронными элементами G 02B 6/42; получение энергии от радиоактивных источников G 21H) [2,6,8]

31/02 . конструктивные элементы [2]

31/0203 . . корпусы; герметизирующие средства бескорпусных приборов [5]

31/0216 . . покрытия [5]

31/0224 . . электроды [5]

31/0232 . . оптические элементы или приспособления, связанные с прибором [5]

31/0236 . . специальные поверхностные рельефы [5]

31/024 . . приспособления для охлаждения, нагревания, вентиляции или температурной компенсации [5]

31/0248 . отличающиеся полупроводниковой подложкой [5]

31/0256 . . отличающиеся материалом кристалла [5]

31/0264 . . . неорганическим материалом [5]

31/0272 . . . . использованием селена или теллура [5]

31/028 . . . . содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только химические элементы четвертой группы Периодической Системы [5]

31/0288 . . . . . отличающимся легирующим веществом [5]

31/0296 . . . . содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения типа A_IIB_VI, например CdS, ZnS, HgCdTe [5]

31/0304 . . . . содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения типа AIIIBV [5]

31/0312 . . . . содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения типа A_IVB_IV, например SiC [5]

31/032 . . . . содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения, не предусмотренные в рубриках 31/0272-31/0312 [5]

31/0328 . . . . содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, полупроводниковые материалы, предусмотренные в двух или более рубриках 31/0272- 31/032 [5]

31/0336 . . . . . в различных полупроводниковых областях, например гетеропереходах Cu₂X - CdX, где X- элемент шестой группы Периодической Системы [5]

31/0352 . . отличающиеся формой или формами, относительными размерами или расположением полупроводниковых областей [5]

31/036 . . отличающиеся кристаллической структурой или особой ориентацией кристаллографических плоскостей [5]

31/0368 . . . содержащие поликристаллические полупроводники (31/0392 имеет преимущество) [5]

31/0376 . . . содержащие аморфные полупроводники (31/0392 имеет преимущество) [5]

31/0384 . . . содержащие другие немонокристаллические материалы, например полупроводниковые частицы, внедренные в диэлектрик (31/0392 имеет преимущество) [5]

31/0392 . . . содержащие тонкие пленки, осажденные на металлические или диэлектрические подложки [5]

31/04 . предназначенные для работы в качестве преобразователей [2]

31/042 . . содержащие панели или матрицы фотоэлектрических элементов, например солнечных элементов [5]

31/045 . . . складные [5]

31/048 . . . герметизированные бескорпусные или с корпусом [5]

31/05 . . . отличающиеся специальными межсоединениями [5]

31/052 . . . с охлаждающими, светоконцентрирующими или светоотражающими средствами [5]

31/055 . . . . в которых световое излучение поглощается и вторично излучается с отличной длиной волны при помощи концентратора, например с использованием люминесцентных материалов [5]

31/058 . . . содержащие средства для использования тепловой энергии, например гибридные системы, или добавочные источники электрической энергии (использующие солнечное тепло вообще F 24J 2/00) [5]

31/06 . . отличающиеся по меньшей мере одним потенциальным барьером, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностным барьером [2]

31/062 . . . с потенциальными барьерами только типа металл-диэлектрик-полупроводник [5]

31/065 . . . с потенциальными барьерами только с плавно изменяющейся запрещенной зоной [5]

31/068 . . . с потенциальными барьерами только в виде гомоструктурного p-n-перехода [5]

31/07 . . . с потенциальными барьерами только типа Шотки [5]

31/072 . . . с потенциальными барьерами только в виде p-n-гетероперехода [5]

31/075 . . . с потенциальными барьерами только p-i-n-типа [5]

31/078 . . . содержащие потенциальные барьеры, предусмотренные в двух или более из рубрик 31/062-31/075 [5]

31/08 . в которых излучение управляет током, проходящим через прибор, например фоторезисторы [2]

31/09 . . приборы, чувствительные к инфракрасному, видимому или ультрафиолетовому излучению (31/101 имеет преимущество) [5]

31/10 . . отличающиеся наличием, по меньшей мере, одного поверхностного барьера или потенциального барьера, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, например фототранзисторы [2]

31/101 . . . чувствительные к инфракрасному, видимому или ультрафиолетовому излучению [5]

31/102 . . . . отличающиеся наличием только одного потенциального или поверхностного барьера [5]

31/103 . . . . . с потенциальным барьером в виде p-n-перехода [5]

31/105 . . . . . с потенциальным барьером p-i-n-типа [5]

31/107 . . . . . с потенциальным барьером, работающим в лавинном режиме, например лавинные фотодиоды [5]

31/108 . . . . . с потенциальным барьером Шотки [5]

31/109 . . . . . с потенциальным барьером в виде p-n-гетероперехода [5]

31/11 . . . . отличающиеся наличием двух потенциальных или поверхностных барьеров, например биполярные фототранзисторы [5]

31/111 . . . . отличающиеся наличием трех потенциальных барьеров, например фототиристоры [5]

31/112 . . . . отличающиеся действием полевого эффекта, например плоскостные полевые фототранзисторы [5]

31/113 . . . . . со структурой типа проводник-диэлектрик-полупроводник, например полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик-полупроводник [5]

31/115 . . . приборы, чувствительные к волнам очень короткой длины, например рентгеновскому излучению, гамма-излучению или корпускулярному излучению [5]

31/117 . . . . детекторы излучения, основанные на использовании объемного эффекта, например германиево-литиевые детекторы гамма-излучения с компенсированным p-i-n-переходом [5]

31/118 . . . . детекторы, основанные на использовании поверхностного барьера, или неглубокого p-n-перехода, например детекторы альфа-частиц с использованием поверхностного барьера [5]

31/119 . . . . отличающиеся использованием полевого эффекта, например детекторы со структурой типа металл-диэлектрик-полупроводник [5]

31/12 . связанные с одним или несколькими электрическими, например электролюминесцентными, источниками света конструктивным путем, например путем формирования на общей подложке или внутри нее, и кроме того электрически или оптически связанные с этими источниками света (полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним поверхностным или потенциальным барьером, специально предназначенные для излучения света 33/00; усилители, имеющие электролюминесцентный элемент или фотоэлемент H 03F 17/00; электролюминесцентные источники света как таковые H 05B 33/00) [2,5]

31/14 . . с одним или несколькими источниками света, управляемыми полупроводниковыми приборами, чувствительными к излучению, например электронно-оптические преобразователи, электронно-оптические усилители изображения, электронно-оптические устройства для запоминания изображения [2]

31/147 . . . полупроводниковые приборы - источники света и приборы, чувствительные к излучению - отличающиеся наличием по меньшей мере одного потенциального или поверхностного барьера [5]

31/153 . . . . сформированные на общей подложке или внутри нее [5]

31/16 . . с полупроводниковым прибором, чувствительным к излучению и управляемым одним или несколькими источниками света [2]

31/167 . . . полупроводниковые приборы - источники света и приборы, чувствительные к излучению - отличающиеся наличием по меньшей мере одного потенциального или поверхностного барьера [5]

31/173 . . . . сформированные на общей подложке или внутри нее [5]

31/18 . способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей (для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей вообще 21/00) [2]

31/20 . . приборы или их части, содержащие аморфный полупроводниковый материал [5]

Введение в МПК Текст МПК⁸ IPC - English IPC - France