ЕАПО > РОСПАТЕНТ > Международная патентная классификация

Введение в МПК Текст МПК8  A   B   C   D   E   F   G   H   МПК7   МПК6   C   C30  IPC - English IPC - France

C30B - Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B 01J 3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C 22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B 22D; обработка пластмасс B 29; изменение физической структуры металлов или сплавов C 21D,C 22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H 01L); устройства для вышеуказанных целей [3]   Примечания: (1) В данном подклассе применяемые термины означают следующее:       - "монокристалл" - продукт, состоящий преимущественно из монокристаллов, но содержащий также и двойниковые кристаллы; [3]       - "гомогенный поликристаллический материал" - материал, состоящий из кристаллических частиц одинакового химического состава; [5]       - "определенная структура" - структура материала, состоящего из зерен, ориентированных определенным образом или имеющих размеры больше, чем получаемые в обычных условиях. [5]     (2) В данном подклассе :       - получение монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой из особых веществ или особой формы классифицируется как в группе для используемого способа, так и в группе 29/00; [3]       - устройства, специально предназначенные для осуществления определенного способа, классифицируются в соответствующей группе для способа. Устройства, используемые в нескольких видах способов, классифицируются в группе 35/00. [3]   Содержание подкласса: ВЫРАЩИВАНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ: из твердых веществ или гелей 1/00,3/00,5/00 из жидкостей 7/00-21/00,27/00 из паров 23/00,25/00 ПОЛУЧЕНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЛИ ГОМОГЕННОГО ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА С ОПРЕДЕЛЕННОЙ СТРУКТУРОЙ 28/00,30/00 МОНОКРИСТАЛЛЫ ИЛИ ГОМОГЕННЫЙ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ С ОПРЕДЕЛЕННОЙ СТРУКТУРОЙ 29/00 ПОСЛЕДУЮЩАЯ ОБРАБОТКА 31/00,33/00 УСТРОЙСТВА 35/00   Выращивание монокристаллов из твердого состояния или гелей [3]   C30B 1/00 Выращивание монокристаллов непосредственно из твердого состояния (однонаправленное разделение эвтектик на составные части 3/00; под защитной жидкостью 27/00) [3]   C30B 3/00 Однонаправленное разделение эвтектик на составные части [3]   C30B 5/00 Выращивание монокристаллов из гелей (под защитной жидкостью 27/00) [3]   Выращивание монокристаллов из жидкостей; однонаправленное отвердевание эвтектик [3]   C30B 7/00 Выращивание монокристаллов из растворов с использованием растворителей, являющихся жидкими при обычной температуре, например из водных растворов (из расплавленных растворителей 9/00; обычным замораживанием или замораживанием при температурном градиенте 11/00; под защитной жидкостью 27/00) [3]   C30B 9/00 Выращивание монокристаллов из расплавов с использованием расплавленных растворителей (обычным замораживанием или замораживанием при температурном градиенте 11/00; зонной плавкой 13/00; вытягиванием кристаллов 15/00; на погруженном затравочном кристалле 17/00; жидкофазным выращиванием эпитаксиальных слоев 19/00; под защитной жидкостью 27/00) [3]   C30B 11/00 Выращивание монокристаллов обычным замораживанием или замораживанием при температурном градиенте, например по методу Бриджмена-Стокбаргера (13/00, 15/00,17/00,19/00 имеют преимущество; под защитной жидкостью 27/00) [3]   C30B 13/00 Выращивание монокристаллов зонной плавкой; очистка зонной плавкой (17/00 имеет преимущество; изменением поперечного сечения обрабатываемого твердого тела 15/00; под защитной жидкостью 27/00; для выращивания гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой 28/00; зонная очистка особых материалов классифицируется в соответствующих подклассах для материалов) [3,5]   C30B 15/00 Выращивание монокристаллов вытягиванием из расплава, например по методу Чохральского (под защитной жидкостью 27/00) [3]   C30B 17/00 Выращивание монокристаллов на затравочном кристалле, остающемся в расплаве в процессе выращивания, например по методу Накена-Киропулоса (15/00 имеет преимущество) [3]   C30B 19/00 Жидкофазное выращивание эпитаксиальных слоев [3]   C30B 21/00 Однонаправленное отвердевание эвтектик [3]   Выращивание монокристаллов из паров [3]   C30B 23/00 Выращивание монокристаллов конденсацией испаряемого или сублимируемого материала [3]   C30B 25/00 Выращивание монокристаллов путем химических реакций реакционноспособных газов, например химическим осаждением из паровой фазы [3]     C30B 27/00 Выращивание монокристаллов под защитной жидкостью [3]   C30B 28/00 Получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой [5]   C30B 29/00 Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой (сплавы C 22C) [3,5]   C30B 30/00 Производство монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой, отличающееся воздействием электрического или магнитного полей, волновой энергии или других специфических физических условий [5]   Последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой [3,5]   C30B 31/00 Способы диффузии или легирования монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для этих целей [3,5]   C30B 33/00 Последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (31/00 имеет преимущество; шлифование, полирование B 24; тонкая механическая обработка драгоценных камней, камней для часовых механизмов, кристаллов B 28D 5/00) [3,5]     C30B 35/00 Устройства вообще, специально предназначенные для выращивания, получения или последующей обработки монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой [3,5] Введение в МПК         Текст МПК8         IPC - English         IPC - France