В начало Российская ФедерацияРоссийская Федерация РОСПАТЕНТ
English

Российская Федерация Российская Федерация
C30 - Выращивание кристаллов (разделение кристаллизацией вообще B 01D 9/00) [3]
 C30BВыращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B 01J 3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C 22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B 22D; обработка пластмасс B 29; изменение физической структуры металлов или сплавов C 21D,C 22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H 01L); устройства для вышеуказанных целей [3]
Введение в МПК         Текст МПК8         IPC - English         IPC - France