В начало Российская ФедерацияРоссийская Федерация РОСПАТЕНТ
English

Российская Федерация Российская Федерация
C30B 15/00 - Выращивание монокристаллов вытягиванием из расплава, например по методу Чохральского (под защитной жидкостью 27/00) [3]
 15/02добавлением к расплаву кристаллизующегося материала или реагентов, образующих его непосредственно в процессе [3]
 15/04. . с добавлением легирующего материала, например для n-р переходов [3]
 15/06невертикальное вытягивание [3]
 15/08вытягивание вниз [3]
 15/10тигли или контейнеры для поддерживания расплава [3]
 15/12. . методы двойного тигля [3]
 15/14нагревание расплава или кристаллизуемого материала [3]
 15/16. . облучением или электрическим разрядом [3]
 15/18. . с использованием прямого нагрева сопротивлением в дополнение к другим методам нагрева, например с использованием эффекта Пельтье [3]
 15/20управление или регулирование (управление или регулирование вообще G 05) [3]
 15/22. . стабилизация или управление формой расплавленной зоны вблизи вытягиваемого кристалла; регулирование сечения кристалла [3]
 15/24. . с использованием механических средств, например формонаправляющих приспособлений (формоизменяющие матрицы для выращивания из пленки кристаллов с определенными гранями 15/34) [3]
 15/26. . с использованием телевизионных детекторов; с использованием фотодетекторов и(или) рентгеновских детекторов [3]
 15/28. . с использованием изменения веса кристалла или расплава, например флотационными способами [3]
 15/30механизмы для вращения или передвижения расплава или кристалла (флотационные способы 15/28) [3]
 15/32держатели затравочных кристаллов, например зажимные патроны [3]
 15/34выращивание из пленки кристаллов с определенными гранями с использованием формоизменяющих матриц или щелей [3]
 15/36отличающееся затравочным кристаллом, например его кристаллографической ориентацией [3]
Введение в МПК         Текст МПК8         IPC - English         IPC - France