В начало Российская ФедерацияРоссийская Федерация РОСПАТЕНТ
English

Российская Федерация Российская Федерация
C30B 13/00 - Выращивание монокристаллов зонной плавкой; очистка зонной плавкой (17/00 имеет преимущество; изменением поперечного сечения обрабатываемого твердого тела 15/00; под защитной жидкостью 27/00; для выращивания гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой 28/00; зонная очистка особых материалов классифицируется в соответствующих подклассах для материалов) [3,5]
 13/02зонная плавка с растворителем, например способом перемещающегося растворителя [3]
 13/04гомогенизация зонным выравниванием [3]
 13/06с расплавленной зоной, не занимающей поперечное сечение полностью [3]
 13/08добавлением к расплавленной зоне кристаллизующегося материала или реагентов, образующих его непосредственно в процессе [3]
 13/10. . с добавлением легирующего материала [3]
 13/12. . в газообразном или парообразном состоянии [3]
 13/14тигли или сосуды [3]
 13/16нагревание расплавленной зоны [3]
 13/18. . нагревательным элементом, находящимся в контакте или погруженным в расплавленную зону [3]
 13/20. . индукцией, например нагревательными элементами (13/18 имеет преимущество; индукционные катушки H 05B 6/36) [3]
 13/22. . облучением или электрическим разрядом [3]
 13/24. . с использованием электромагнитных волн [3]
 13/26перемешивание расплавленной зоны [3]
 13/28управление или регулирование (управление или регулирование вообще G 05) [3]
 13/30. . стабилизация или управление формой расплавленной зоны, например с помощью концентраторов, с помощью электромагнитных полей; регулирование сечения кристалла [3]
 13/32механизмы для перемещения загрузки или нагревателя [3]
 13/34отличающееся затравочным кристаллом, например его кристаллографической ориентацией [3]
Введение в МПК         Текст МПК8         IPC - English         IPC - France