В начало Российская ФедерацияРоссийская Федерация РОСПАТЕНТ
English

Российская Федерация Российская Федерация
C30B 25/00 - Выращивание монокристаллов путем химических реакций реакционноспособных газов, например химическим осаждением из паровой фазы [3]
 25/02выращивание эпитаксиальных слоев [3]
 25/04. . отложение образцов, например с использованием защитных слоев [3]
 25/06. . разбрызгиванием продуктов реакции [3]
 25/08. . реакционные камеры; выбор материалов для них [3]
 25/10. . нагревание реакционной камеры или подложки [3]
 25/12. . держатели или приемники подложек [3]
 25/14. . средства для подачи или выпуска газов; изменение потока реакционноспособных газов [3]
 25/16. . управление или регулирование (управление или регулирование вообще G 05) [3]
 25/18. . характеризуемое подложкой [3]
 25/20. . с подложкой из того же материала, что эпитаксиальный слой [3]
 25/22. . способы получения "сэндвичевых" слоев [3]
Введение в МПК         Текст МПК8         IPC - English         IPC - France