| | Примечание: | В этой основной группе приборы классифицируются во всех рубриках 29/02, 29/40 и в 29/66 в той мере, в какой эти рубрики соответствуют им. [2] |
|
| | 29/02 | . | полупроводниковые подложки [2] |
| | 29/04 | . . | отличающиеся кристаллической структурой, например поликристаллическая структура с кубической решеткой, с определенной ориентацией кристаллической плоскости (с дефектом кристаллической решетки 29/30) [2] |
| | 29/06 | . . | отличающиеся формой; отличающиеся формами, относительными размерами или расположением полупроводниковых областей [2] |
| | 29/08 | . . | . | с полупроводниковой областью, соединенной с электродом, по которому проходит выпрямляемый, усиливаемый или переключаемый ток, и таким же электродом, являющимся частью полупроводникового прибора с тремя или более электродами [2] |
| | 29/10 | . . | . | с полупроводниковой областью, соединенной с электродом, по которому не проходит выпрямляемый, усиливаемый или переключаемый ток, и таким же электродом, являющимся частью полупроводникового прибора с тремя или более электродами [2] |
| | 29/12 | . . | отличающиеся материалами, из которых они образованы [2] |
| | 29/15 | . . | . | структуры с периодическим или квазипериодическим изменением потенциала, например множественные потенциальные квантовые ямы, сверхрешетки (такие структуры, применяемые для управления светом G 02F 1/017, такие структуры, применяемые в полупроводниковых лазерах H 01S 5/34) [6] |
| | Примечание: | Рубрика 29/15 имеет преимущество перед рубриками 29/16-29/26. [6] |
|
| | 29/16 | . . | . | содержащие, кроме легирующих материалов или других примесей, элементы только из четвертой группы Периодической Системы в несвязанном (свободном) виде [2] |
| | 29/161 | . . | . . | содержащие несколько элементов, предусмотренных в 29/16 [2] |
| | 29/165 | . . | . . | . | в разных полупроводниковых областях [2] |
| | 29/167 | . . | . . | отличающиеся легирующими материалами [2] |
| | 29/18 | . . | . | только из селена или теллура, не считая легирующих и прочих примесей [2] |
| | 29/20 | . . | . | содержащие, кроме легирующих материалов и других примесей, только соединения типа AIIIBV [2,6] |
| | 29/201 | . . | . . | включая два или более соединения [2] |
| | 29/205 | . . | . . | . | в разных полупроводниковых областях [2] |
| | 29/207 | . . | . . | отличающиеся легирующими материалами [2] |
| | 29/22 | . . | . | содержащие, кроме легирующих материалов и других примесей, только соединения типа AIIBVI [2] |
| | 29/221 | . . | . . | включая два или более соединения [2] |
| | 29/225 | . . | . . | . | в разных полупроводниковых областях [2] |
| | 29/227 | . . | . . | отличающиеся легирующими материалами [2] |
| | 29/24 | . . | . | содержащие, кроме легирующих материалов и других примесей, только неорганические полупроводниковые материалы, не предусмотренные в 29/16,29/18,29/20, 29/22 (содержащие органические материалы 51/00) |
| | 29/26 | . . | . | содержащие, кроме легирующих материалов и других примесей, элементы, предусмотренные в 29/16,29/18,29/20,29/22 и 29/24 [2] |
| | 29/267 | . . | . . | в разных полупроводниковых областях [2] |
| | 29/30 | . . | отличающиеся физическими дефектами структуры; имеющие полированную или шероховатую поверхность [2] |
| | 29/32 | . . | . | с дефектами структуры внутри полупроводниковой подложки [2] |
| | 29/34 | . . | . | с дефектами структуры на поверхности полупроводниковой подложки [2] |
| | 29/36 | . . | отличающиеся концентрацией или распределением примесей [2] |
| | 29/38 | . . | отличающиеся комбинацией особенностей, предусмотренных в двух или более рубриках 29/04, 29/06,29/12,29/30 и 29/36[2] |
| | 29/40 | . | электроды |
| | 29/41 | . . | отличающиеся формой, соответственными размерами или расположением [6] |
| | 29/417 | . . | . | пропускающие выпрямляемый, усиливаемый или переключаемый ток [6] |
| | 29/423 | . . | . | не пропускающие выпрямляемый, усиливаемый или переключаемый ток [6] |
| | 29/43 | . . | отличающиеся материалами, из которых они сформированы [6] |
| | 29/45 | . . | . | электроды с омическим сопротивлением [6] |
| | 29/47 | . . | . | электроды с барьером Шотки [6] |
| | 29/49 | . . | . | электроды структуры МДП-структуры (металл-диэлектрик-полупроводник) [6] |
| | 29/51 | . . | . . | диэлектрические материалы, относящиеся к электродам [6] |
| | 29/66 | . | типы полупроводниковых приборов [2] |
| | 29/68 | . . | управляемые только электрическим током или потенциалом, приложенным к электроду, по которому не проходит выпрямляемый, усиливаемый или переключаемый ток (29/96 имеет преимущество) [2] |
| | 29/70 | . . | . | биполярные приборы [2] |
| | 29/72 | . . | . . | приборы типа транзисторов, т.е. способные непрерывно реагировать на приложенные управляющие сигналы [2] |
| | 29/73 | . . | . . | . | биполярные плоскостные транзисторы [5] |
| | 29/732 | . . | . . | . . | вертикальные транзисторы [6] |
| | 29/735 | . . | . . | . . | горизонтальные транзисторы [6] |
| | 29/737 | . . | . . | . . | гетеротранзисторы [6] |
| | 29/739 | . . | . . | . | управляемые полевым эффектом [6] |
| | 29/74 | . . | . . | приборы типа тиристоров с четырехзонной регенерацией [2] |
| | 29/744 | . . | . . | . | с выключением приборов по управляющему электроду [6] |
| | 29/745 | . . | . . | . . | с выключением с помощью полевого эффекта [6] |
| | 29/747 | . . | . . | . | двунаправленные приборы, например симисторы (симметричные триодные тиристоры) [2] |
| | 29/749 | . . | . . | . | с выключением с помощью полевого эффекта [6] |
| | 29/76 | . . | . | униполярные приборы [2] |
| | 29/762 | . . | . . | приборы с переносом заряда [6] |
| | 29/765 | . . | . . | . | приборы с зарядовой связью [6] |
| | 29/768 | . . | . . | . . | с полевым эффектом, обеспечиваемым изолирующим затвором [6] |
| | 29/772 | . . | . . | полевые транзисторы [6] |
| | 29/775 | . . | . . | . | с каналом с кристаллическим газ-носителем при подаче на затвор напряжения одной полярности, например квантуемый по проводам полевой транзистор [6] |
| | 29/778 | . . | . . | . | с каналом с кристаллическим газ-носителем при подаче на затвор напряжения двух полярностей, например транзисторы с высокой подвижностью электронов) [6] |
| | 29/78 | . . | . . | . | с полевым эффектом, создаваемым при помощи изолированного затвора [2] |
| | 29/786 | . . | . . | . . | тонкопленочные транзисторы [6] |
| | 29/788 | . . | . . | . . | с плавающим затвором [5] |
| | 29/792 | . . | . . | . . | с изолятором затвора, захватывающим заряды, например запоминающий МНОП-транзистор [5] |
| | 29/80 | . . | . . | . | с полевым эффектом, создаваемым при помощи управляющего p-n-перехода или другого выпрямляющего перехода [2] |
| | 29/808 | . . | . . | . . | с затвором в виде p-n-перехода [5] |
| | 29/812 | . . | . . | . . | с затвором типа барьера Шотки [5] |
| | 29/82 | . . | управляемые только изменением магнитного поля, приложенного к прибору (29/96 имеет преимущество) [2,6] |
| | 29/84 | . . | управляемые только изменением приложенных механических усилий, например изменением давления (29/96 имеет преимущество) [2,6] |
| | 29/86 | . . | управляемые только изменением электрического тока или электрического потенциала, приложенного к одному или нескольким электродам, по которым проходит выпрямляемый, усиливаемый, генерируемый или переключаемый ток (29/96 имеет преимущество) [2] |
| | 29/8605 | . . | . | плоскостные резисторы с p-n-переходом [6] |
| | 29/861 | . . | . | диоды [6] |
| | 29/862 | . . | . . | точечные диоды [6] |
| | 29/864 | . . | . . | инжекционно-пролетные диоды, например лавинно- пролетные диоды, лавинно-ключевые диоды [6] |
| | 29/866 | . . | . . | диоды Зеннера [6] |
| | 29/868 | . . | . . | p-i-n диоды [6] |
| | 29/87 | . . | . . | диодные тиристоры, например диоды Шохлея, обращенные диоды [6] |
| | 29/872 | . . | . . | диоды Шотки [6] |
| | 29/88 | . . | . . | туннельные диоды [2] |
| | 29/885 | . . | . . | . | туннельные диоды Есаки [6] |
| | 29/92 | . . | . | конденсаторы с потенциальным барьером, на котором имеет место скачок потенциала, или с поверхностным барьером [2] |
| | 29/93 | . . | . . | диоды с регулируемой емкостью, например варакторы [2] |
| | 29/94 | . . | . . | конденсаторы с МДП-структурой, например МОП-структурой [2] |
| | 29/96 | . . | типа, который рассматривается по меньшей мере в двух из рубрик 29/68,29/82,29/84 или 29/86 [2] |
ЕАПО > РОСПАТЕНТ
> Международная патентная классификация
МПК7
