В начало Российская ФедерацияРоссийская Федерация РОСПАТЕНТ
English

Российская Федерация Российская Федерация
H01S 5/00 - Полупроводниковые лазеры [7]
 5/02конструктивные детали или компоненты, не влияющие на работу лазера [7]
 5/022. . монтажные, сборочные элементы; корпуса [7]
 5/024. . охлаждающие устройства [7]
 5/026. . монолитно встроенные компоненты, например волноводы, контролирующие фотодетекторы, возбудители (стабилизация выходных параметров 5/06; соединение световодов с опто-электронными элементами G 02B 6/42; устройства, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих твердотельных компонентов, сформированных внутри общей подложки или на ней, и специально предназначенные для светового излучения H 01L 27/15) [7]
 5/028. . покрытия [7]
 5/04способы и устройства для возбуждения, например накачка (5/06 имеет преимущество) [7]
 5/042. . электрическое возбуждение [7]
 5/06устройства для управления выходными параметрами лазера, например путем воздействия на активную среду (передающие системы, использующие световые волны H 04B 10/00) [7]
 5/062. . изменением потенциала, приложенного к электродам (5/065 имеет преимущество) [7]
 5/0625. . в многосекционных лазерах [7]
 5/065. . синхронизация мод; подавление мод; селекция мод [7]
 5/068. . стабилизация выходных параметров лазера (5/0625 имеет преимущество) [7]
 5/0683. . посредством мониторинга оптических выходных параметров [7]
 5/0687. . . . стабилизация частоты лазера [7]
 5/10конструкция или форма оптического резонатора [7]
 5/12. . резонаторы, с периодической структурой, например в лазерах с распределенной обратной связью (DFB-лазеры) (5/18 имеет преимущество) [7]
 5/125. . лазеры с распределенным отражателем Брэгга (DBR-лазеры) [7]
 5/14. . лазеры с внешним объемным резонатором (5/18 имеет преимущество; синхронизация 5/065) [7]
 5/16. . лазеры типа волноводного окна, т.е. с областью из непоглощающего материала между активной зоной и отражающей поверхностью (5/14 имеет преимущество) [7]
 5/18. . лазеры с лучеиспускающей поверхностью (SE-лазеры) [7]
 5/183. . с вертикальным резонатором (VCSE-лазеры) [7]
 5/187. . с использованием распределенного отражателя Брэгга (SE-DBR-лазеры) (5/183 имеет преимущество) [7]
 5/20структура или форма полупроводниковой подложки для направления оптической волны [7]
 5/22. . с чередующимися гребнями и бороздками [7]
 5/223. . утопленная бороздчатая структура (5/227 имеет преимущество) [7]
 5/227. . утопленная мезаструктура [7]
 5/24. . в виде канавок, например V-образных [7]
 5/30структура или форма активной зоны; материалы, используемые для активной зоны [7]
 5/32. . с PN переходами, например гетероструктуры или двойные гетероструктуры (5/34, 5/36 имеют преимущество) [7]
 5/323. . в соединениях типа AIIIBV, например AlGaAs-лазер [7]
 5/327. . с соединениями AIIBVI, например ZnCdSe-лазер [7]
 5/34. . содержащие структуры с потенциальной квантовой ямой или сверхрешетчатые структуры, например лазеры с одной потенциальной ямой (SQW-лазеры), лазеры с несколькими потенциальными ямами (MQW-лазеры), ступенчатые гетероструктурные лазеры с раздельным плавным изменением показателя преломления (GRINSCH-лазеры) (5/36 имеет преимущество) [7]
 5/343. . в соединениях AIIIBV, например AlGaAs-лазер [7]
 5/347. . в соединениях типа AIIBVI, например ZnCdSe-лазер [7]
 5/36. . содержащие органические материалы (жидкостные лазеры с использованием органического красителя 3/213) [8]
 5/40размещение двух или более полупроводниковых лазеров, не предусмотренное в подгруппах 5/02-5/30 (5/50 имеет преимущество) [7]
 5/42. . решетки лазеров с лучеиспускающей поверхностью [7]
 5/50конструкции усилителей, не предусмотренные в группах 5/02-5/30(как ретрансляторы в передающих системах H 04B 10/17) [7]
Введение в МПК         Текст МПК8         IPC - English         IPC - France