В начало Российская ФедерацияРоссийская Федерация РОСПАТЕНТ
ЕАПО > РОСПАТЕНТ > Международная патентная классификация English

 

Введение в МПК

Текст МПК8

 A   B   C   D   E   F   G   H 
 МПК7 
 МПК6 
  G 
 G11 
 G11C 

IPC - English

IPC - France


Российская Федерация Российская Федерация
G11C 11/00 - Цифровые запоминающие устройства, отличающиеся применением различных электрических или магнитных элементов памяти; элементы памяти для них (14/00- 21/00 имеют преимущество) [5]
 Примечание:Рубрика 11/56 имеет преимущество перед рубриками 11/02-11/54. [2]
 11/02. с использованием магнитных элементов
 11/04. . цилиндрической формы, например стержней, проволоки (11/12,11/14 имеют преимущество) [2]
 11/06. . с одним отверстием, например кольцевых сердечников; пластин с несколькими отверстиями, каждое из которых образует элемент памяти
 11/061. . . с использованием элементов с одним отверстием или магнитным контуром для запоминания (один элемент на один бит информации) и для считывания с разрушением информации [2]
 11/063. . . . с битовой организацией, например с двухуровневой и/или двухмерной или трехмерной организацией, т.е. для выбора элемента с помощью по меньшей мере двух совпадающих пониженных токов как для считывания, так и для записи [2]
 11/065. . . . с пословной организацией, например двумерной или прямой выборкой, т.е. для выбора всех элементов слова с помощью одного полного тока считывания [2]
 11/067. . . с использованием элементов с одним отверстием или магнитным контуром для запоминания (один элемент на один бит информации) и считывания без разрушения информации [2]
 11/08. . многодырочных, например трансфлюксоров пластин с несколькими отдельными многодырочными элементами памяти (11/10 имеет преимущство; использование пластин с несколькими отверстиями, в которых каждое отверстие образует отдельный элемент памяти 11/06) [2]
 11/10. . многоосевых
 11/12. . тензоров; твисторов, т.е. элементов, в которых одна ось магнетизации скручивается
 11/14. . тонкопленочных
 11/15. . . с использованием нескольких магнитных слоев (11/155 имеет преимущество) [2]
 11/155. . . цилиндрической формы [2]
 11/16. . в которых эффект памяти основан на спин-эффекте
 11/18. с использованием устройств, основанных на эффекте Холла
 11/19. с использованием нелинейных реактивных приборов в резонансных контурах [2]
 11/20. . с использованием параметронов [2]
 11/21. с использованием электрических элементов [2]
 11/22. . с использованием сегнетоэлектрических элементов [2]
 11/23. . с исользованием электростатической памяти на общей пленке, например электростатических ламп Форрестора-Хеффа (11/22 имеет преимущество) [2]
 11/24. . с использованием конденсаторов (11/22 имеет преимущество; использование сочетания полупроводниковых приборов и конденсаторов 11/34, например 11/40) [2,5]
 11/26. . с использованием электронных или газоразрядных ламп [2]
 11/28. . . газонаполненных ламп [2]
 11/30. . . вакуумных ламп (11/23 имеет преимущество) [2]
 11/34. . с применением полупроводниковых приборов [2]
 11/35. . . с накоплением заряда в обедненном слое, например устройства с зарядовой связью [7]
 11/36. . . диодов, например применяемых в качестве пороговых элементов [2]
 11/38. . . . туннельных диодов [2]
 11/39. . . тиристоров [5]
 11/40. . . транзисторов [2]
 11/401. . . . образующих ячейки, для которых необходимо восстановление или регенерация заряда, т.е. динамические ячейки [5]
 11/402. . . . . с регенерацией заряда отдельно для каждой ячейки памяти, т.е. внутреннее восстановление [5]
 11/403. . . . . с регенерацией заряда, общего для множества ячеек памяти, т.е. внешнее восстановление [5]
 11/404. . . . . . с одним вентилем с переносом заряда, например МОП-транзистором, в одной ячейке памяти [5]
 11/405. . . . . . с тремя вентилями с переносом заряда, например МОП-транзисторами, в одной ячейке памяти [5]
 11/406. . . . . управление или регулирование циклов восстановления или регенерации заряда [5]
 11/4063. . . . . вспомогательные схемы, например для адресации, декодирования, запуска, записи, считывания или синхронизации [7]
 11/4067. . . . . . для ячеек памяти биполярного типа [7]
 11/407. . . . . . вспомогательные схемы, например для адресации, декодирования, запуска, записи, считывания или синхронизации ячеек памяти с полевым эффектом [5]
 11/4072. . . . . . . схемы инициализации, включения или выключения, установки в исходное состояние или предварительной настройки [7]
 11/4074. . . . . . . схемы электропитания или генерирования напряжения, например генераторы напряжения смещения, генераторы напряжения замены, резервное электропитание, схемы регулирования мощности [7]
 11/4076. . . . . . . схемы синхронизации (для управления регенерации 11/406) [7]
 11/4078. . . . . . . схемы безопасности или защиты, например для предотвращения непреднамеренной или несанкционированной записи или считывания; ячейки состояния; тестовые ячейки (защита содержимого памяти во время проверки или испытания 29/52) [7]
 11/408. . . . . . . адресные схемы [5]
 11/409. . . . . . . схемы записи-считывания (R-W) [5]
 11/4091. . . . . . . . усилители считывания или считывания/восстановления или соответствующая электрическая схема считывания, например для предварительного заряжения, стабилизации, коррекции или разделения разрядных линий связи [7]
 11/4093. . . . . . . . устройства связи (интерфейсные устройства) для ввода-вывода (E/S, I/O) данных, например буферные устройства (схемы преобразования уровня вообще H 03K 19/0175) [7]
 11/4094. . . . . . . . схемы управления или регулирования разрядных линий [7]
 11/4096. . . . . . . . схемы управления или регулирования ввода-вывода (E/S, I/O) данных, например схемы записи или считывания, драйверы ввода-вывода, переключатели разрядных линий [7]
 11/4097. . . . . . . . структура разрядных линий, например компоновка разрядных линий, свертывание разрядных линий [7]
 11/4099. . . . . . . . активирование резервных ячеек; генераторы опорного напряжения [7]
 11/41. . . . образующих ячейки с положительной обратной связью, т.е. ячейки, не нуждающиеся в восстановлении или регенерации заряда, например бистабильные мультивибраторы или триггеры Шмидта [5]
 11/411. . . . . с использованием только биполярных транзисторов [5]
 11/412. . . . . с использованием только полевых транзисторов [5]
 11/413. . . . . вспомогательные схемы, например для адресации, декодирования, запуска, записи, считывания, синхронизации или снижения мощности [5]
 11/414. . . . . . для элементов памяти биполярного типа [5]
 11/415. . . . . . . адресные схемы [5]
 11/416. . . . . . . схемы записи - считывания [5]
 11/417. . . . . . для элементов памяти с полевым эффектом [5]
 11/418. . . . . . . адресные схемы [5]
 11/419. . . . . . . схемы записи - считывания [5]
 11/4193. . . вспомогательные схемы, приспособленные для особых типов полупроводниковых запоминающих устройств, например для адресации, запуска, считывания, синхронизации, электропитания, распространения сигнала (11/4063, 11/413 имеют преимущество) [7]
 11/4195. . . . адресные схемы [7]
 11/4197. . . . схемы записи-считывания [7]
 11/42. . с использованием оптоэлектронных приборов, т.е. светоизлучающих и фотоэлектрических устройств, связанных оптически или электрически
 11/44. . с использованием сверхпроводящих элементов, например криотронов [2]
 11/46. с использованием термопластичных элементов
 11/48. с использованием перемещающихся элементов, например ферромагнитных сердечников для изменения индуктивности или индуктивной связи
 11/50. с использованием электрических контактных устройств для накопления информации (механические устройства памяти 23/00; переключатели, обеспечивающие определенное число срабатываний при однофазном воздействии на ручной элемент управления H 01H 41/00)
 11/52. . электромагнитных реле
 11/54. с использованием элементов, имитирующих биологические клетки, например нейроны
 11/56. с использованием запоминающих элементов с более чем двумя состояниями устойчивости, определяемыми импульсами, например напряжения, тока или импульсными изменениями фазы или частоты (счетные устройства, содержащие элементы такого типа со многими состояниями устойчивости, H 03K 25/00, H 03K 29/00) [2]
Введение в МПК         Текст МПК8         IPC - English         IPC - France