1. Неорганический сцинтилляционный материал типа иодида, имеющий формулу

A _x Ln _(y-y') Ln' _у' I _(x+3у) ,

в которой A представляет собой, по меньшей мере, элемент, выбранный из Li, Na, K, Rb, Cs,

Ln представляет собой по меньшей мере первый редкоземельный элемент, выбранный из La, Gd, Y, Lu, причем упомянутый первый редкоземельный элемент имеет валентность 3+ в вышеуказанной формуле,

Ln' представляет собой по меньшей мере второй редкоземельный элемент, выбранный из Ce, Tb, Pr, причем упомянутый второй редкоземельный элемент имеет валентность 3+ в вышеуказанной формуле,

x - это целое число и представляет собой 0, 1, 2 или 3,

y - это целое или не целое число, большее 0 и меньшее 3,

y' - это целое или не целое число, большее 0 и меньшее y.

2. Материал по п.1, отличающийся тем, что Ln' - это церий.

3. Материал по любому из пп.1-2, отличающийся тем, что у' составляет от 0,001y до 0,1y.

4. Материал по п.3, отличающийся тем, что y' составляет от 0,001y до 0,01y.

5. Материал по п.4, отличающийся тем, что y' составляет от 0,003y до 0,01y.

6. Материал по любому из пп.1-5, отличающийся тем, что y равен 1.

7. Материал по любому из пп.1-6, отличающийся тем, что Ln - это лантан (La).

8. Материал по любому из пп.1-7, отличающийся тем, что A - это калий (K).

9. Материал по п.6, отличающийся тем, что он имеет формулу K ₂ La _(1-y') Ce _y' I ₅ .

10. Материал по п.6, отличающийся тем, что он имеет формулу Lu _(1-y') Ce _y' I ₃ .

11. Материал по любому из пп.1-10, отличающийся тем, что он представляет собой монокристалл с объемом, превышающим 10 мм ³ .

12. Материал по п.11 с объемом, превышающим 1 см ³ .

13. Материал по любому из пп.1-10, отличающийся тем, что он представляет собой кристаллический порошок или поликристалл.

14. Способ получения монокристаллического сцинтилляционного материала по одному из пп.11-12, отличающийся тем, что материал получают путем выращивания методом Бридгмана.

15. Сцинтилляционный детектор, включающий в себя сцинтилляционный материал по любому из пп.1-13.

16. Сканер для Позитрон-Эмиссионной Томографии, включающий детектор по п.15.

17. Гамма Камера типа Anger, включающая детектор по п.15.

 

 

(57) Реферат / Формула:
Неорганический сцинтилляционный материал типа иодида, имеющий формулу

A _x Ln _(y-y') Ln' _у' I _(x+3у) ,

в которой A представляет собой, по меньшей мере, элемент, выбранный из Li, Na, K, Rb, Cs,

Ln представляет собой по меньшей мере первый редкоземельный элемент, выбранный из La, Gd, Y, Lu, причем упомянутый первый редкоземельный элемент имеет валентность 3+ в вышеуказанной формуле,

Ln' представляет собой по меньшей мере второй редкоземельный элемент, выбранный из Ce, Tb, Pr, причем упомянутый второй редкоземельный элемент имеет валентность 3+ в вышеуказанной формуле,

x - это целое число и представляет собой 0, 1, 2 или 3,

y - это целое или не целое число, большее 0 и меньшее 3,

y' - это целое или не целое число, большее 0 и меньшее y.

2. Материал по п.1, отличающийся тем, что Ln' - это церий.

3. Материал по любому из пп.1-2, отличающийся тем, что у' составляет от 0,001y до 0,1y.

4. Материал по п.3, отличающийся тем, что y' составляет от 0,001y до 0,01y.

5. Материал по п.4, отличающийся тем, что y' составляет от 0,003y до 0,01y.

6. Материал по любому из пп.1-5, отличающийся тем, что y равен 1.

7. Материал по любому из пп.1-6, отличающийся тем, что Ln - это лантан (La).

8. Материал по любому из пп.1-7, отличающийся тем, что A - это калий (K).

9. Материал по п.6, отличающийся тем, что он имеет формулу K ₂ La _(1-y') Ce _y' I ₅ .

10. Материал по п.6, отличающийся тем, что он имеет формулу Lu _(1-y') Ce _y' I ₃ .

11. Материал по любому из пп.1-10, отличающийся тем, что он представляет собой монокристалл с объемом, превышающим 10 мм ³ .

12. Материал по п.11 с объемом, превышающим 1 см ³ .

13. Материал по любому из пп.1-10, отличающийся тем, что он представляет собой кристаллический порошок или поликристалл.

14. Способ получения монокристаллического сцинтилляционного материала по одному из пп.11-12, отличающийся тем, что материал получают путем выращивания методом Бридгмана.

15. Сцинтилляционный детектор, включающий в себя сцинтилляционный материал по любому из пп.1-13.

16. Сканер для Позитрон-Эмиссионной Томографии, включающий детектор по п.15.

17. Гамма Камера типа Anger, включающая детектор по п.15.

 

 

---

008367
Настоящее изобретение касается неорганических кристаллов сцинтилляторов типа иодида редкоземельного элемента, способа производства, позволяющего их получать, и использования вышеупомянутых кристаллов, в частности, в детекторах гамма-лучей и/или рентгеновских лучей.
Кристаллы сцинтилляторы широко используются в детекторах гамма-лучей, рентгеновских лучей, космических лучей и частиц, энергия которых составляет, в частности, от 1 кэВ до 10 МэВ.
Кристалл сцинтиллятор - это кристалл, прозрачный в области длины волны сцинтилляции, который отвечает на падающее излучение испусканием светового импульса. Световой импульс зависит от природы кристалла и является максимально возможно интенсивным. Этот импульс соотносят с энергией падающего излучения, поглощенной материалом, и выражают в фотонах на поглощенный МэВ. Ведется поиск кристаллов, интенсивность эмиссии которых является максимально возможной.
Из подобных кристаллов, главным образом из монокристаллов, могут изготавливаться детекторы, где свет, испускаемый кристаллом, который входит в состав детектора, передается к средству обнаружения света (или фотодетектору, такому как фотоэлектронный умножитель), который вырабатывает электрический сигнал, пропорциональный числу полученных световых импульсов, и их интенсивности. Такие детекторы используются, в частности, в промышленности для измерения толщины или массы, в области ядерной медицины, физики, химии, нефтеразведки.
Другой изыскиваемый параметр для материала сцинтиллятора - это способность задержки рентгеновских или гамма-лучей, которая в первом приближении является функцией pZ4 (где р - плотность, Z -эффективный атомный номер соединения). Второй критерий - его световой выход на падающий поглощенный фотон, выраженный далее в тексте в фотонах/МэВ при 662 кэВ - энергии основного гамма-излучения 137Cs.
Один из других параметров, который пытаются улучшить, - это энергетическое разрешение.
Действительно, в большинстве случаев применения ядерных детекторов (обнаружение рентгеновских лучей, а, в, гамма-излучений, электронов, нейтронов, заряженных частиц), желательно хорошее энергетическое разрешение. Энергетическое разрешение ядерного детектора излучения означает, в сущности, его способность разделять энергии излучений, очень близкие между собой. Оно определяется обычно для данного детектора и при данной энергии облучения как ширина в середине высоты пика, наблюдаемого на спектре энергии, полученном с этого детектора, отнесенная к энергии в центроиде пика (см., в частности, G.F. Knoll, "Radiation Detection and Measurement", John Wiley and Sons, Inc, 2-е изд., с. 114). Далее в тексте и для всех произведенных измерений разрешение определялось при 662 кэВ - энергии основного гамма-излучения 137Cs.
Чем меньше численное значение энергетического разрешения, тем лучше качество детектора. Считается, что энергетическое разрешение порядка 7% уже позволяет получать хорошие результаты, но постоянно предпринимаются попытки улучшить этот параметр. Действительно, в качестве примера, в случае детектора, используемого для анализа разных радиоактивных изотопов, лучшее энергетическое разрешение обеспечивает лучшее различение этих изотопов. Улучшение энергетического разрешения (т.е. иначе говоря, уменьшение величины разрешения) также представляет особые преимущества для устройств визуализации изображений в медицине, например, таких как гамма-камера типа Anger или пози-тронно-эмиссионный томограф (ПЭТ), так как позволяет значительно улучшать контраст и качество картинок, что обеспечивает более точное и более раннее обнаружение опухолей.
Другой очень важный параметр - это постоянная времени высвечивания сцинтилляции (называемая "decay time"), этот параметр измеряется обычно так называемым методом "Start Stop" или "Multi hit method", (описанным W.W. Moses в Nucl. Instr. and Meth. A336 (1993) 253). Желательно иметь наименее возможное значение постоянной времени высвечивания, чтобы можно было увеличить рабочую частоту детекторов. В области ядерной медицины это позволяет, например, значительно сокращать продолжительность обследований. Небольшая величина постоянной времени высвечивания позволяет к тому же улучшать временное разрешение устройств, обнаруживающих события во временном совпадении. Это случай ПЭТ, где снижение постоянной времени высвечивания сцинтилляции позволяет значительно улучшать изображения, отклоняя с большей точностью не совпадающие события.
Семейство известных и широко используемых кристаллов сцинтилляторов - это кристаллы типа иодида натрия, с примесью таллия, NaI(Tl). Этот материал-сцинтиллятор, обнаруженный в 1948 году Робертом Хофстадтером, является основой современных сцинтилляторов и до сих пор остается преобладающим материалом в этой области, несмотря на около 50 лет изысканий на других материалах. Его световой выход - 38000-40000 фотонов/МэВ. Между тем, у этих кристаллов медленное высвечивание сцинтилляции, приблизительно 230 нс. Кроме того, их энергетическое разрешение остается средним (порядка 7% в лучах 137Cs), также как и задерживающая способность - (pZ4=24 106).
Также широко используемым материалом является CsI, который в зависимости от применения может быть использован либо в чистом виде, либо с примесью таллия (Tl) или натрия (Na). Между тем, CsI(Tl) и CsI(Na) имеют повышенные постоянные времени высвечивания, в частности, превышающие
500 нс.
Семейство кристаллов сцинтилляторов, которое получило значительное развитие, в частности, вви
- 1 -
008367
ду своей высокой захватывающей способности, - это кристаллы типа германата висмута (BGO). Между тем, кристаллы семейства BGO имеют повышенные постоянные времени высвечивания, что ограничивает использование этих кристаллов при малых скоростях счета. Кроме того, их световой выход (выраженный в числе фотонов на поглощенный МэВ) остается в 4-5 раз ниже, чем у кристаллов NaI:Tl, порядка
8000-9000 фотонов/МэВ.
Более современное семейство кристаллов сцинтилляторов было разработано в 1990-х годах и представляет собой кристаллы типа оксиортосиликата лютеция, активированного церием LSO(Ce). Между тем, эти кристаллы очень разнородные и имеют очень высокие точки плавления (приблизительно 2200°С). Их энергетическое разрешение не блестяще и превышает большей частью 10% в лучах 137Cs.
Известны также два семейства: XLn2Cl7 и XLn2Br7, легированные церием, где X представляет собой щелочной элемент, в частности, Cs или Rb, a Ln - редкоземельный элемент. Из этих соединений наиболее привлекательным является RbGd2Br7, но он очень дорогостоящий. С другой стороны, Rb дает сильный радиационный фон, связанный с присутствием изотопа 87Rb, что ухудшает качество сигнала на выходе сцинтиллятора. Усилия коснулись также K2LaCl5:Ce (см. Hans van't Spijker и др., [Rad. Meas. 24 (4) (1995) 379-381], [J. Lumin. 85 (1999) 1-10]). Между тем, его световой выход в два раза ниже, чем у NaI:Tl (20000 фотонов/МэВ) и световое излучение материала содержит медленную составляющую. Кроме того, его способность захвата падающих рентгеновских или гамма-лучей невелика (pZ4=11106).
В документах WO 0160944 и WO 0160945 указывается, что соединения, соответственно, типа Ln1-хСехСl3 и Ln1-xCexBr3, где Ln выбирается среди лантаноидов или смесей лантаноидов, и где х - мольная доля замещения Ln церием, в частности, LaCl3:Ce и LaBr3:Ce, показывают короткое время высвечивания с быстрой составляющей в 25-35 нс и превосходное энергетическое разрешение, достигающее 2,93,1%. Между тем, их захватывающая способность остается умеренной, а именно, равной 25106 для LaBr3:0,5% Се.
В статье, опубликованной в Journal of luminescence 85,1999, 21-35 (Guillot-Noel и др.), показано, что кристалл LuCl3, легированный 0,45% Се, дает интенсивность эмиссии 5700 фотонов/МэВ при 662 кэВ и энергетическое разрешение 18%. Показано также, что кристалл LuBr3, легированный 0,46% Се, имеет интенсивность эмиссии 18000 фотонов/МэВ при 662 кэВ и энергетическое разрешение 8%.
Изобретение касается сцинтилляционного неорганического материала типа иодида, имеющего формулу
в которой A представляет собой, по меньшей мере, элемент, выбранный из Li, Na, K, Rb, Cs, Ln представляет собой по меньшей мере первый редкоземельный элемент, выбранный из La, Gd, Y, Lu, причем упомянутый первый редкоземельный элемент имеет в вышеуказанной формуле валентность
3+,
Ln' представляет собой по меньшей мере второй редкоземельный элемент, выбранный из Ce, Tb, Pr, причем упомянутый второй редкоземельный элемент имеет валентность 3+ в вышеуказанной формуле (этот второй редкоземельный элемент будет также назван далее по тексту легирующей добавкой),
x - целое число и представляет собой 0, 1, 2 или 3,
y - целое или не целое число, большее 0 и меньшее 3,
y'- целое или не целое число, большее 0 и меньшее у.
Материал, согласно изобретению, имеет высокую захватывающую способность, короткое время высвечивания, в частности, ниже 100 нс, хорошее энергетическое разрешение, в частности, ниже 6% при 662 кэВ и высокий световой выход.
Материал, согласно изобретению, может включать примеси, обычные для технической области изобретения. Обычные примеси - это главным образом примеси, происходящие из сырья, массовая доля которых ниже, в частности, 0,1% и даже ниже 0,01%, и/или паразитные фазы (например, фаза KI в K2LaI5), объемный процент которой ниже, в частности, 1%.
В качестве Ln' в вышеупомянутой формуле предпочтителен Ce, затем Tb, затем Pr.
Предпочтительно, у' изменяется от 0,001 у до 0,9у (это означает, что мольная доля замещения Ln на Ln' составляет от 0,1 до 90%), и еще более предпочтительно от 0,001y до 0,1y и даже от 0,001y до 0,01y. В частности, у' может составлять от 0,003 до 0,01 у. В частности, у может быть равным единице. Для случая, когда Ln - это La, предпочитают, чтобы x был отличен от нуля.
В качестве материала согласно изобретению можно перечислить:
K2La(1-y)CeyI5
K2La0-y)Tbyl5
Lu(1-y> )CeyI3
Lua-y)Tbyl3
Cs3La(1-y')Cey'I6
Cs3La(1-y')Tby'I6
Cs3Lu(1-y')Cey'I6
Cs3Lu(1-y')Tby'I6
- 2 -
008367
Cs3Lu(2-y')Cey'I9
Cs3Lu(2-y')Tby'I9
Na3Gd(1-y')Cey'I6 Na3Gd(1-y')Tby'I6
Ka3Gd(1-y')Tby'I6
Cs3Gd(1-y')Cey'I6
Cs3Gd(1-y')Tby'I6
Gs3Gd(2-y')Cey'I9 Cs3Gd(2-y')Tby'I9 Ka3Lu(1-y')Cey'I6 Ka3Lu(1-y')Tby'I6
Cs3Lu(2-y')Cey'I9
Cs3Lu(2-y')Tby'I9
Ka3Y(1-y')Cey'I6 Ka3Y(1-y)TbyI6 Cs3Y(1-y')Cey'I6 Cs3Y(1-y')Tby'I6 Cs3Y(2-y')Cey'I9 Cs3Y(2-y')Tby'I9.
Материалы K2La(1-y)CeyI5 и LuQ^Ce^ являются особенно подходящими.
Материал, согласно изобретению, может быть с другой стороны оптимизирован в зависимости от представлений об электронных энергетических уровнях. Если рассмотреть, в частности, переход энергии, ответственный за эмиссионный пик, можно констатировать, что значительное количество этих уровней энергии расположены в запрещенной зоне. Это может составлять преимущественное правило для некоторых из соединений согласно изобретению.
Согласно одному из способов осуществления, сцинтилляционным материалом согласно изобретению является монокристалл, позволяющий получать детали с высокой прозрачностью, размеры которых будут достаточными, чтобы захватывать и эффективно обнаруживать детектируемые излучения, в том числе, и с высокой энергией (например, превышающей 100 кэВ). Объем этих монокристаллов может быть, в частности, порядка 10 мм3, а также более 1 см3 и даже более 10 см3.
Согласно другому способу осуществления, сцинтилляционный материал согласно изобретению -это кристаллический порошок или поликристалл, например, в виде порошков, смешанных со связующим, или же в виде золя - геля.
Материал, согласно изобретению, может быть получен, в частности, в виде монокристалла путем выращивания методом Бридгмана в вертикальном направлении, например, в кварцевых ампулах, запаянных в вакууме. Плавление/кристаллизация при этом будет конгруэнтного типа.
Материал, согласно изобретению, может, в частности, служить составляющей частью детектора излучения, например, гамма-лучей и/или рентгеновских лучей.
Такой детектор включает, в частности, фотодетектор, оптически соединенный со сцинтиллятором, чтобы вырабатывать электрический сигнал в ответ на испускание импульса света, произведенного сцин-тиллятором. Фотодетектор вышеупомянутого детектора может быть, в частности, фотоэлектронным умножителем, или фотодиодом, или же датчиком CCD (от английского Charge Coupled Device).
Предпочтительное использование детекторов этого типа касается измерений гамма- или рентгеновских излучений, но такая система способна также обнаруживать альфа-, бета-излучения и электроны. Изобретение касается также использования вышеупомянутого детектора в аппаратах ядерной медицины, в частности, Гамма камер типа Anger и сканеров для Позитрон-Эмиссионной Томографии (см., например, C.W.E. Van Eijk, "Inorganic Scintillator for Medical Imaging", international Seminar New types of Detectors, 15-19 May 1995-Archamp, Франция. Опубл. в "Physica Medica", Том XII, дополнение 1, июнь 96).
Согласно другому варианту изобретение касается использования вышеупомянутого детектора в аппаратуре для нефтедобычи (см., например, "Applications of scintillation counting and analysis", в "Photomul-tiplier tube, principle and application ", chapitre 7, Philips).
Примеры
Синтезируют K2LaI5 согласно изобретению, K2LaCl5, K2LaBr5 как сравнительные примеры и LuI3 согласно изобретению. Все образцы активированы церием (0,7% для у' в формуле AxLn(y-yi)LriyiI(x+3y) для первых трех соединений и 0,5% для LuI3).
В качестве исходных составляющих для K2LaI5, K2LaCl5, K2LaBr5 использовали:
KCl, KBr, KI (Merck, сверхчистый),
LaCl3/Br3 и CeCl3/Br3, которые были приготовлены на основе La2O3 методом галогенидов аммония;
LaI3 и CeI3, которые были синтезированы из элементов (La, Ce и I), согласно методу, описанному G. Meyer в "Synthesis of lanthanides and Actinides compounds", edited by G. Meyer and L. Morss (Kluwer, Dordrecht, 1991), p. 145;
- 3 -
008367
Lul3 и CeI3 были синтезированы из элементов, соответственно Lu и I с одной стороны, Ce и I с другой стороны.
Чтобы удалить следы воды и кислорода, компоненты были очищены сублимацией в ампулах из тантала или кварца. Для роста монокристалла со стехиометрическими соотношениями исходные продукты были запаяны в кварцевые ампулы в вакууме. Манипуляции с любым ингредиентом или материалом производились в инертной атмосфере, в частности в перчаточных камерах, при содержании воды менее 0,1 млн д.
Образцы, использованные в качестве примеров, были в виде маленьких монокристаллов, объемом порядка 10 мм3. Измерения осуществлялись при возбуждении гамма-излучением при 662 кэВ. Интенсивность эмиссии выражена в фотонах на МэВ.
Время высвечивания сцинтилляции измерялось методом, называемым "Multi Hit", описанным W.W. Moses (Nucl. Instr. and Meth. A336 (1993) 253). Кристаллы были установлены на фотоэлектронных умножителях Philips XP2020Q. Быстрая составляющая сцинтилляции оценивалась своей константой времени высвечивания или "decay time", Т, выраженной в наносекундах, и своей интенсивностью сцинтилляции, которая представляет вклад этой составляющей в общем числе фотонов, выпущенных сцинтиллятором (последняя колонка таблицы). Временное окно для получения сигнала составляло 10 мкс.
На примере 3 показано, что соединение K2LaI5:Ce согласно изобретению типа иодида редкой земли, содержащая 0,7% моль церия (основа редкоземельных элементов, т.е. y'=0,007), имеет константу времени высвечивания быстрой составляющей флюоресценции 65 нс (по сравнению с 230 нс для NaI:Tl). В таблице представлены некоторые другие результаты сцинтилляции. В случае материала примера 3 согласно изобретению интенсивность сцинтилляции быстрой составляющей значительна и превышает 30000 фо-тонов/МэВ. Кроме того, энергетическое разрешение под излучением 137Cs при 662 кэВ значительно улучшено по отношению к разрешению NaI:Tl (сравнительный пример 4), до значения порядка 5%. Материал - иодид редких земель согласно изобретению предоставляет значительные преимущества в плане сцинтилляционных свойств по отношению к версиям на основе других галогенов, как Cl (известный из литературы) и Br, как это показывают сравнительные примеры 1 и 2. Скромный результат, полученный при использовании хлора, не позволял предсказывать столь значительного результата для йода.
Материал согласно изобретению из примера 4 (LuI3: Су) также обладает превосходными характеристиками, в частности, по захватывающей способности (pZ4) и времени высвечивания быстрой компоненты.
Пример
Сцинтилля-ционный материал
У (Се3*)
захватывающая способность
интенсивность эмиссии фотон/МэВ
Энергетическое разрешение при 662 кэВ
Быстрая составляющая (нс)
Процентная доля света,
выпущенного в быстрой
составляющей
1 (сотр)
K2l.a1.yCI5: Се/
0,007
11.10°
21000
2 (сотр)
K2LatyBr5: Се/
0,007
13.10°
26 000
40%
K2Lai.yI5: Се/
0,007
33.10°
52 000
90%
LU1./I3 :Се/
0,005
77.10°
33000
5 (сотр)
NahTI
24.10°
40 000
6.5%
230
ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ
1. Неорганический сцинтилляционный материал типа иодида, имеющий формулу
AxLn(y-y')Ln'у'I(x+3у),
в которой A представляет собой, по меньшей мере, элемент, выбранный из Li, Na, K, Rb, Cs, Ln представляет собой по меньшей мере первый редкоземельный элемент, выбранный из La, Gd, Y, Lu, причем упомянутый первый редкоземельный элемент имеет валентность 3+ в вышеуказанной формуле,
Ln' представляет собой по меньшей мере второй редкоземельный элемент, выбранный из Ce, Tb, Pr, причем упомянутый второй редкоземельный элемент имеет валентность 3+ в вышеуказанной формуле, x - это целое число и представляет собой 0, 1, 2 или 3, y - это целое или не целое число, большее 0 и меньшее 3, y' - это целое или не целое число, большее 0 и меньшее y.
2. Материал по п.1, отличающийся тем, что Ln' - это церий.
3. Материал по любому из пп.1-2, отличающийся тем, что у' составляет от 0,001y до 0,1y.
4. Материал по п.3, отличающийся тем, что y' составляет от 0,001y до 0,01y.
- 4 -
008367
5. Материал по п.4, отличающийся тем, что y' составляет от 0,003y до 0,01y.
6. Материал по любому из пп.1-5, отличающийся тем, что y равен 1.
7. Материал по любому из пп.1-6, отличающийся тем, что Ln - это лантан (La).
8. Материал по любому из пп.1-7, отличающийся тем, что A - это калий (K).
9. Материал по п.6, отличающийся тем, что он имеет формулу K2La(1-y')CeyI5.
10. Материал по п.6, отличающийся тем, что он имеет формулу Lu(1-y)CeyI3.
11. Материал по любому из пп.1-10, отличающийся тем, что он представляет собой монокристалл с объемом, превышающим 10 мм3.
12. Материал по п.11 с объемом, превышающим 1 см3.
13. Материал по любому из пп.1-10, отличающийся тем, что он представляет собой кристаллический порошок или поликристалл.
14. Способ получения монокристаллического сцинтилляционного материала по одному из пп.11-12, отличающийся тем, что материал получают путем выращивания методом Бридгмана.
15. Сцинтилляционный детектор, включающий в себя сцинтилляционный материал по любому из пп.1-13.
16. Сканер для Позитрон-Эмиссионной Томографии, включающий детектор по п.15.
17. Гамма Камера типа Anger, включающая детектор по п.15.
Евразийская патентная организация, ЕАПВ Россия, 109012, Москва, Малый Черкасский пер., 2/6
- 5 -