В начало Российская ФедерацияРоссийская Федерация РОСПАТЕНТ

Российская Федерация Российская Федерация
H01S 5/00 - Полупроводниковые лазеры [7]
 Примечание:Следует обратить внимание на Примечание (3) после заголовка раздела C, это Примечание указывает, на какую версию периодической таблицы химических элементов ссылается МПК. В этой группе используемая Периодическая система представляет собой систему из 8 групп, обозначенных римскими цифрами в Периодической таблице, в соответствии с ней [2010.01]

 5/02конструктивные детали или компоненты, не влияющие на работу лазера [7]
 5/022. . установка; корпуса [2021.01]
 5/02208. . характеризуемые формой корпуса [2021.01]
 5/02212. . . . CAN -тип, например TO-CAN корпуса с излучением вдоль или параллельно оси симметрии [2021.01]
 5/02216. . . . типа бабочки, т.е. с электродными штырьками, выходящими горизонтально из корпуса [2021.01]
 5/02218. . материал корпусов; заполнение корпусов [2021.01]
 5/0222. . . . корпуса, заполненные газом [2021.01]
 5/02224. . . . газ, содержащий кислород, например для предотвращения загрязнения светоизлучающих граней [2021.01]
 5/02232. . . . корпуса заполненные жидкостью [2021.01]
 5/02234. . . . корпуса заполненные смолой; корпуса выполненные из смол [2021.01]
 5/02235. . газопоглощающий материал для предотвращения загрязнений [2021.01]
 5/0225. . выпрямление света [2021.01]
 5/02251. . . . с использованием оптических волокон [2021.01]
 5/02253. . . . с использованием линз [2021.01]
 5/02255. . . . с использованием элементов, отклоняющих свет [2021.01]
 5/02257. . . . с использованием окон, например специально предназначенных для обратного отражения света на детектор внутри корпуса [2021.01]
 5/023. . монтажные элементы, например переходные оправы [2021.01]
 5/0231. . . . ножки [2021.01]
 5/02315. . . . поддерживающие элементы, например основания или опоры [2021.01]
 5/0232. . . . выводные рамки [2021.01]
 5/02325. . . . механически объединенные компоненты на монтажных элементах или микрооптических скамьях [2021.01]
 5/02326. . . . устройства для взаимного расположения лазерных диодов и оптических компонентов, например канавки в оправах для фиксации оптических волокон или линз [2021.01]
 5/0233. . монтажная конфигурация лазерных чипов [2021.01]
 5/02335. . . . верхнее крепления, например крепление стороной вверх или переходом вверх [2021.01]
 5/0234. . . . крепления вверх ногами, например крепления с перевернутым кристаллом, крепления с верхней стороной вниз или крепления переходом вниз [2021.01]
 5/02345. . . . проводные соединения [2021.01]
 5/0235. . способ монтажа лазерных чипов [2021.01]
 5/02355. . . . фиксирование лазерных чипов на опорах [2021.01]
 5/0236. . . . путем склеивания [2021.01]
 5/02365. . . . путем зажима [2021.01]
 5/0237. . . . путем пайки [2021.01]
 5/02375. . . . расположение лазерных кристаллов (чипов) [2021.01]
 5/0238. . . . с использованием отметок [2021.01]
 5/02385. . . . с использованием лазерного луча в качестве эталона [2021.01]
 5/0239. . комбинация электрических или оптических элементов [2021.01]
 5/024. . устройства для регулирования температуры [7,2006.01]
 5/026. . монолитно встроенные компоненты, например волноводы, контролирующие фотодетекторы или возбудители (стабилизация выходных параметров H01S 5/06) [7]
 5/028. . покрытия [7]
 5/04способы и устройства для возбуждения, например накачка (H01S 5/06 имеет преимущество) [7]
 5/042. . электрическое возбуждение [7]
 5/06устройства для управления выходными параметрами лазера, например путем воздействия на активную среду [7]
 5/062. . изменением потенциала, приложенного к электродам (H01S 5/065 имеет преимущество) [7]
 5/0625. . в многосекционных лазерах [7]
 5/065. . синхронизация мод; подавление мод; селекция мод [7]
 5/068. . стабилизация выходных параметров лазера (H01S 5/0625 имеет преимущество) [7]
 5/0683. . посредством мониторинга оптических выходных параметров [7]
 5/0687. . . . стабилизация частоты лазера [7]
 5/10конструкция или форма оптического резонатора [2021.01]
 5/11. . содержащие структуру с фотонной запрещенной зоной [2021.01]
 5/12. . резонатор с периодической структурой, например в лазерах с распределенной обратной связью [DFB] (содержащие фотонную запрещенную структуру H01S 5/11; лазеры с поверхностным излучением H01S 5/18) [2021.01]
 5/125. . лазеры с распределенным отражателем Брэгга (DBR-лазеры) [7]
 5/14. . лазеры с внешним объемным резонатором (H01S 5/18 имеет преимущество; синхронизация H01S 5/065) [7]
 5/16. . лазеры типа волноводного окна, т.е. с областью из непоглощающего материала между активной зоной и отражающей поверхностью (H01S 5/14 имеет преимущество) [7]
 5/18. . лазеры поверхностного излучения [SE], например с горизонтальными и вертикальными резонаторами [2021.01]
 5/183. . только с вертикальным резонатором, например лазеры с поверхностным излучением с вертикальным резонатором [VCSEL] [7,2006.01]
 5/185. . имеющие только горизонтальные резонаторы, например поверхностно излучающие лазеры с горизонтальным резонатором [HCSEL] [2021.01]
 5/187. . . . с использованием отражения Брэгга [7,2006.01]
 5/20структура или форма полупроводниковой подложки для направления оптической волны [7]
 5/22. . с чередующимися гребнями и бороздками [7]
 5/223. . утопленная бороздчатая структура (H01S 5/227 имеет преимущество) [7]
 5/227. . утопленная мезаструктура [7]
 5/24. . в виде канавок, например V-образных [7]
 5/30структура или форма активной зоны; материалы, используемые для активной зоны [7]
 5/32. . с PN переходами, например гетероструктуры или двойные гетероструктуры (H01S 5/34, H01S 5/36 имеют преимущество) [7]
 5/323. . в соединениях типа AIIIBV, например AlGaAs-лазер [7]
 5/327. . с соединениями AIIBVI, например ZnCdSe-лазер [7]
 5/34. . содержащие структуры с потенциальной квантовой ямой или сверхрешетчатые структуры, например лазеры с одной потенциальной ямой (SQW-лазеры), лазеры с несколькими потенциальными ямами (MQW-лазеры), ступенчатые гетероструктурные лазеры с раздельным плавным изменением показателя преломления (GRINSCH-лазеры) (H01S 5/36 имеет преимущество) [7]
 5/343. . в соединениях AIIIBV, например AlGaAs-лазер [7]
 5/347. . в соединениях типа AIIBVI, например ZnCdSe-лазер [7]
 5/36. . содержащие органические материалы [8]
 5/40размещение двух или более полупроводниковых лазеров, не предусмотренное в подгруппах H01S 5/02 - H01S 5/30 (H01S 5/50 имеет преимущество) [7]
 5/42. . решетки лазеров с лучеиспускающей поверхностью [7]
 5/50конструкции усилителей, не предусмотренные в группах H01S 5/02 - H01S 5/30 [7]