| | Примечание: | Следует обратить внимание на Примечание (3) после заголовка раздела C, это Примечание указывает, на какую версию периодической таблицы химических элементов ссылается МПК. В этой группе используемая Периодическая система представляет собой систему из 8 групп, обозначенных римскими цифрами в Периодической таблице, в соответствии с ней [2010.01] |
|
| | 5/02 | . | конструктивные детали или компоненты, не влияющие на работу лазера [7] |
| | 5/022 | . . | монтажные, сборочные элементы; корпуса [7] |
| | 5/024 | . . | охлаждающие устройства [7] |
| | 5/026 | . . | монолитно встроенные компоненты, например волноводы, контролирующие фотодетекторы или возбудители (стабилизация выходных параметров H01S 5/06) [7] |
| | 5/028 | . . | покрытия [7] |
| | 5/04 | . | способы и устройства для возбуждения, например накачка (H01S 5/06 имеет преимущество) [7] |
| | 5/042 | . . | электрическое возбуждение [7] |
| | 5/06 | . | устройства для управления выходными параметрами лазера, например путем воздействия на активную среду [7] |
| | 5/062 | . . | изменением потенциала, приложенного к электродам (H01S 5/065 имеет преимущество) [7] |
| | 5/0625 | . . | . | в многосекционных лазерах [7] |
| | 5/065 | . . | синхронизация мод; подавление мод; селекция мод [7] |
| | 5/068 | . . | стабилизация выходных параметров лазера (H01S 5/0625 имеет преимущество) [7] |
| | 5/0683 | . . | . | посредством мониторинга оптических выходных параметров [7] |
| | 5/0687 | . . | . . | стабилизация частоты лазера [7] |
| | 5/10 | . | конструкция или форма оптического резонатора [7] |
| | 5/12 | . . | резонаторы, с периодической структурой, например в лазерах с распределенной обратной связью (DFB-лазеры) (H01S 5/18 имеет преимущество) [7] |
| | 5/125 | . . | . | лазеры с распределенным отражателем Брэгга (DBR-лазеры) [7] |
| | 5/14 | . . | лазеры с внешним объемным резонатором (H01S 5/18 имеет преимущество; синхронизация H01S 5/065) [7] |
| | 5/16 | . . | лазеры типа волноводного окна, т.е. с областью из непоглощающего материала между активной зоной и отражающей поверхностью (H01S 5/14 имеет преимущество) [7] |
| | 5/18 | . . | лазеры с лучеиспускающей поверхностью (SE-лазеры) [7] |
| | 5/183 | . . | . | с вертикальным резонатором (VCSE-лазеры) [7] |
| | 5/187 | . . | . | с использованием распределенного отражателя Брэгга (SE-DBR-лазеры) (H01S 5/183 имеет преимущество) [7] |
| | 5/20 | . | структура или форма полупроводниковой подложки для направления оптической волны [7] |
| | 5/22 | . . | с чередующимися гребнями и бороздками [7] |
| | 5/223 | . . | . | утопленная бороздчатая структура (H01S 5/227 имеет преимущество) [7] |
| | 5/227 | . . | . | утопленная мезаструктура [7] |
| | 5/24 | . . | в виде канавок, например V-образных [7] |
| | 5/30 | . | структура или форма активной зоны; материалы, используемые для активной зоны [7] |
| | 5/32 | . . | с PN переходами, например гетероструктуры или двойные гетероструктуры (H01S 5/34, H01S 5/36 имеют преимущество) [7] |
| | 5/323 | . . | . | в соединениях типа AIIIBV, например AlGaAs-лазер [7] |
| | 5/327 | . . | . | с соединениями AIIBVI, например ZnCdSe-лазер [7] |
| | 5/34 | . . | содержащие структуры с потенциальной квантовой ямой или сверхрешетчатые структуры, например лазеры с одной потенциальной ямой (SQW-лазеры), лазеры с несколькими потенциальными ямами (MQW-лазеры), ступенчатые гетероструктурные лазеры с раздельным плавным изменением показателя преломления (GRINSCH-лазеры) (H01S 5/36 имеет преимущество) [7] |
| | 5/343 | . . | . | в соединениях AIIIBV, например AlGaAs-лазер [7] |
| | 5/347 | . . | . | в соединениях типа AIIBVI, например ZnCdSe-лазер [7] |
| | 5/36 | . . | содержащие органические материалы [8] |
| | 5/40 | . | размещение двух или более полупроводниковых лазеров, не предусмотренное в подгруппах H01S 5/02 - H01S 5/30 (H01S 5/50 имеет преимущество) [7] |
| | 5/42 | . . | решетки лазеров с лучеиспускающей поверхностью [7] |
| | 5/50 | . | конструкции усилителей, не предусмотренные в группах H01S 5/02 - H01S 5/30 [7] |