ЕАПО > РОСПАТЕНТ > Международная патентная классификация (IPC2019/H/H01L027.htm.01)

Руководство к МПК Текст МПК (2022.01) Текст МПК (2021.01) Текст МПК (2020.01) Текст МПК (2019.01) Текст МПК (2018.01) Текст МПК (2017.01) Текст МПК (2016.01) Текст МПК (2015.01) Текст МПК (2014.01) Текст МПК (2013.01) Текст МПК (2012.01) Текст МПК (2011.01) Текст МПК (2010.01) Текст МПК (2009.01)  A   B   C   D   E   F   G   H  IPC-English IPC-France

H01L 27/00 - Приборы, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих компонентов на твердом теле, сформированных на одной общей подложке или внутри нее (конструктивные элементы и особенности таких приборов H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; блоки, состоящие из нескольких отдельных приборов на твердом теле, H01L 25/00) [2,8]   Примечание: В группах H01L 27/01 - H01L 27/28 применяется правило последней подходящей рубрики, т.е. на каждом иерархическом уровне в случае отсутствия особого указания классифицирование проводится по последней подходящей рубрике. [2]   27/01 .  содержащие только пассивные тонкопленочные или толстопленочные элементы, сформированные на общей изолирующей подложке [3]   27/02 .  содержащие полупроводниковые компоненты, специально предназначенные для выпрямления, генерирования, усиления или переключения, в которых имеется по меньшей мере один потенциальный или поверхностный барьер; включая элементы на пассивных интегральных схемах по меньшей мере с одним потенциальным или поверхностным барьером [2]   27/04 . .  с подложкой из полупроводника [2]   27/06 . .  .  содержащие несколько отдельных компонентов, конфигурация которых не повторяется [2]   27/07 . .  . .  несколько компонентов с общей активной зоной [5]   27/08 . .  .  содержащие только полупроводниковые компоненты одного вида [2]   27/082 . .  . .  только биполярные компоненты [5]   27/085 . .  . .  только компоненты с полевым эффектом [5]   27/088 . .  . .  .  полевые транзисторы с изолированным затвором [5]   27/092 . .  . .  . .  комплементарные полевые МДП-транзисторы [5]   27/095 . .  . .  .  полевые транзисторы с затвором Шотки [5]   27/098 . .  . .  .  полевые транзисторы с управляющим p-n переходом [5]   27/10 . .  .  содержащие несколько отдельных компонентов с повторяющейся конфигурацией [2]   27/102 . .  . .  биполярные компоненты [5]   27/105 . .  . .  компоненты с полевым эффектом [5]   27/108 . .  . .  .  структуры динамических запоминающих устройств с произвольной выборкой [5]   27/11 . .  . .  .  структуры статических запоминающих устройств с произвольной выборкой [5]   27/112 . .  . .  .  структуры постоянных запоминающих устройств [5]   27/115 . .  . .  . .  электрически программируемые постоянные запоминающие устройства; многоступенчатые процессы их изготовления [5, 2017.01]   27/11502 . .  . .  . .  .  с ферроэлектрическими накопительными конденсаторами [2017.01]   27/11504 . .  . .  . .  . .  характеризующиеся топологией вида сверху [2017.01]   27/11507 . .  . .  . .  . .  характеризуемые областью сердечника памяти [2017.01]   27/11509 . .  . .  . .  . .  характеризуемые областью периферийной схемы [2017.01]   27/11512 . .  . .  . .  . .  характеризуемые граничной областью между областями сердечника и периферийной схемы [2017.01]   27/11514 . .  . .  . .  . .  характеризуемые трехмерными устройствами, например с ячейками на уровнях разной высоты [2017.01]   27/11517 . .  . .  . .  .  с плавающим затвором [2017.01]   27/11519 . .  . .  . .  . .  характеризуемые топологией вида сверху [2017.01]   27/11521 . .  . .  . .  . .  характеризуемые областью сердечника памяти (трехмерные устройства H01L 27/11551 ) [2017.01]   27/11524 . .  . .  . .  . .  .  с транзисторами с выбором ячейки, например НЕ-И [2017.01]   27/11526 . .  . .  . .  . .  характеризуемые областью периферийной схемы [2017.01]   27/11529 . .  . .  . .  . .  .  областями памяти, содержащими транзисторы с выбором ячейки, например НЕ-И [2017.01]   27/11531 . .  . .  . .  . .  .  одновременное изготовление периферийных и запоминающих ячеек [2017.01]   27/11534 . .  . .  . .  . .  . .  включающие в себя только один тип периферийного транзистора [2017.01]   27/11536 . .  . .  . .  . .  . .  .  со слоем управляющего затвора, также используемого в качестве части периферийного транзистора [2017.01]   27/11539 . .  . .  . .  . .  . .  .  с диэлектрическим слоем между затворами, также используемым в качестве части периферийного транзистора [2017.01]   27/11541 . .  . .  . .  . .  . .  .  со слоем плавающего затвора, также используемым в качестве части периферийного транзистора [2017.01]   27/11543 . .  . .  . .  . .  . .  .  с туннельным диэлектрическим слоем, также используемым в качестве части периферийного транзистора [2017.01]   27/11546 . .  . .  . .  . .  . .  включающие в себя различные типы периферийного транзистора [2017.01]   27/11548 . .  . .  . .  . .  характеризуемые граничной областью между сердечником и областями периферийной цепи [2017.01]   27/11551 . .  . .  . .  . .  характеризуемые трехмерными устройствами, например с ячейками на уровнях разной высоты [2017.01]   27/11553 . .  . .  . .  . .  .  с истоком и стоком на разных уровнях, например с наклонными каналами [2017.01]   27/11556 . .  . .  . .  . .  . .  с каналами, содержащими вертикальные участки, например U-образные каналы [2017.01]   27/11558 . .  . .  . .  . .  управляющий затвор, являющийся областью легирования, например одиночно-множественные ячейки памяти [2017.01]   27/1156 . .  . .  . .  . .  плавающий затвор, являющийся электродом, разделенным на два или более компонента [2017.01]   27/11563 . .  . .  . .  .  с изоляторами затвора с захватом заряда, например MNOS или NROM [2017.01]   27/11565 . .  . .  . .  . .  характеризуемые топологией вида сверху [2017.01]   27/11568 . .  . .  . .  . .  характеризуемые областью сердечника памяти (трехмерные устройства H01L 27/11578) [2017.01]   27/1157 . .  . .  . .  . .  .  характеризуемые транзисторами с ячейками выбора [2017.01]   27/11573 . .  . .  . .  . .  характеризуемые областью периферийной схемы [2017.01]   27/11575 . .  . .  . .  . .  характеризуемые граничной областью между сердечником и областями периферийной схемы [2017.01]   27/11578 . .  . .  . .  . .  характеризуемые трехмерными устройствами, например с ячейками на уровнях разной высоты [2017.01]   27/1158 . .  . .  . .  . .  .  с истоком и стоком на разных уровнях, например с наклонными каналами [2017.01]   27/11582 . .  . .  . .  . .  . .  каналы, содержащие вертикальные участки, например U-образные каналы [2017.01]   27/11585 . .  . .  . .  .  характеризуемые электродами затвора, содержащими слой, используемый для ферроэлектрических свойств памяти, например металл - ферроэлектрик – полупроводник [MFS] или металл – ферроэлектрик – металл – изолятор - полупроводник [MFMIS] [2017.01]   27/11587 . .  . .  . .  . .  характеризуемые верхней топологией вида сверху [2017.01]   27/1159 . .  . .  . .  . .  характеризуемые областью сердечника памяти [2017.01]   27/11592 . .  . .  . .  . .  характеризуемые областью периферийной схемы [2017.01]   27/11595 . .  . .  . .  . .  характеризуемые граничной областью между областями сердечника и периферийной схемой [2017.01]   27/11597 . .  . .  . .  . .  характеризуемые трехмерными устройствами, например с ячейками на уровнях разной высоты [2017.01]   27/118 . .  . .  интегральные схемы на основе базового кристалла [5]   27/12 . .  с подложкой из неполупроводника, например диэлектрика [2]   27/13 . .  .  комбинированные с тонкопленочными и толстопленочными пассивными компонентами [3]   27/14 .  содержащие полупроводниковые компоненты, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, коротковолновому электромагнитному или корпускулярному излучению, и специально предназначенные как для преобразования энергии этих излучений в электрическую энергию, так и для управления электрической энергией с помощью таких излучений (компоненты, чувствительные к излучению, конструктивно связанные только с одним или несколькими электрическими источниками света H01L 31/14; соединение световодов с оптоэлектронными элементами G02B 6/42) [2]   27/142 . .  устройства преобразования энергии (фотоэлектрические модули или матрицы единичных фотоэлектрических элементов, содержащие шунтирующие диоды, встроенные или непосредственно связанные с устройствами H01L 31/0443, фотоэлектрические модули, состоящие из нескольких тонкоплёночных солнечных элементов, расположенных на одной подложке H01L 31/046 ) [5,2014.01]   27/144 . .  устройства, управляемые при помощи излучения [5]   27/146 . .  .  структуры формирователей сигналов изображения [5]   27/148 . .  . .  формирователи сигналов изображения на приборах с зарядовой связью [5]   27/15 .  с полупроводниковыми компонентами, специально предназначенными для излучения световых колебаний и имеющими по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер [2]   27/16 .  содержащие термоэлектрические компоненты со спаем из различных материалов или без него; содержащие термомагнитные компоненты (с использованием эффекта Пельтье только для охлаждения полупроводниковых приборов или других приборов на твердом теле H01L 23/38) [2]   27/18 .  содержащие компоненты, обладающие сверхпроводимостью [2]   27/20 .  содержащие пьезоэлектрические компоненты; содержащие электрострикционные компоненты; содержащие магнитострикционные компоненты [2,7]   27/22 .  содержащие компоненты, в которых применяются гальваномагнитные эффекты, например эффект Холла; в которых используются другие аналогичные эффекты магнитного поля [2]   27/24 .  содержащие предназначенные для выпрямления, усиления или переключения компоненты на твердом теле без потенциального барьера, на котором имеется скачкообразное изменение потенциала, или без поверхностного барьера [2]   27/26 .  содержащие компоненты с объемным отрицательным сопротивлением [2]   27/28 .  содержащие компоненты с использованием органических материалов в качестве активной части или с использованием комбинации органических материалов с другими материалами в качестве активной части [8]   27/30 . .  с компонентами, специально предназначенными для восприятия инфракрасного излучения, света, коротковолнового или корпускулярного излучения; с компонентами, специально предназначенными как для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, так и для управления электрической энергией с помощью такого излучения [8]   27/32 . .  с компонентами, специально предназначенными для излучения световых колебаний, например дисплеи с плоским экраном с использованием органических светоизлучающих диодов [8]