| | 3/02 | . | регулирующие напряжение и(или) ток |
| | 3/04 | . . | переменный ток |
| | 3/06 | . . | . | с помощью комбинированных насыщенных и ненасыщенных индуктивных устройств, например резонансных цепей |
| | 3/08 | . . | постоянный ток |
| | 3/10 | . . | . | с использованием нерегулируемых устройств с нелинейными характеристиками [4] |
| | 3/12 | . . | . . | с лампами тлеющего разряда |
| | 3/16 | . . | . . | с полупроводниковыми приборами [3] |
| | 3/18 | . . | . . | . | с зенеровскими диодами [3] |
| | 3/20 | . . | . . | . | с комбинациями диодов или транзисторов ( G05F 3/18 имеет преимущество) [3] |
| | 3/22 | . . | . . | . . | в которых используются только биполярные транзисторы (G05F 3/26,G05F 3/30 имеют преимущество) [4] |
| | 3/24 | . . | . . | . . | в которых используются только полевые транзисторы (G05F 3/26,G05F 3/30 имеют преимущество) [4] |
| | 3/26 | . . | . . | . . | токовые зеркала [4] |
| | 3/28 | . . | . . | . . | . | комбинированные с нелинейным усилителем тока [4] |
| | 3/30 | . . | . . | . . | регуляторы, использующие разницу между напряжениями база-эмиттер двух биполярных транзисторов, работающих на различной плотности тока (G05F 3/26 имеет преимущество) [4] |
ЕАПО >
РОСПАТЕНТ
> Международная патентная классификация (IPC2018/G/G05F003.htm.01)
