| | Примечание: | Рубрика H01L 21/70 имеет преимущество перед рубриками H01L 21/02 - H01L 21/67. [2] |
|
| | 21/02 | . | изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей [2,8] |
| | 21/027 | . . | образование маски на полупроводниковой подложке для дальнейшей фотолитографической обработки, не отнесенное к рубрикам H01L 21/18 или H01L 21/34[5] |
| | 21/033 | . . | . | с неорганическими слоями [5] |
| | 21/04 | . . | приборов, имеющих хотя бы один потенциальный барьер, на котором осуществляется скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например p-n-переход, обедненный слой, слой с повышенной концентрацией носителей [2] |
| | 21/06 | . . | . | приборов с полупроводниковыми подложками, содержащими селен или теллур в несвязанной форме, если они не являются примесями в полупроводниковой подложке из другого материала [2] |
| | 21/08 | . . | . . | подготовка пластины основания [2] |
| | 21/10 | . . | . . | предварительная обработка селена или теллура, наложение их на пластину основания и последующая обработка этой комбинации [2] |
| | 21/103 | . . | . . | . | придание селену или теллуру электропроводности [2] |
| | 21/105 | . . | . . | . | обработка поверхности слоя селена или теллура после придания ему электропроводности [2] |
| | 21/108 | . . | . . | . | получение отдельных диэлектрических слоев, т.е. искусственных потенциальных барьеров [2] |
| | 21/12 | . . | . . | наложение электродов на поверхность селена или теллура, после наложения селена или теллура на пластину основания [2] |
| | 21/14 | . . | . . | обработка законченного прибора, например путем электроформования с целью образования потенциального барьера [2] |
| | 21/145 | . . | . . | . | старение [2] |
| | 21/16 | . . | . | приборов, в которых полупроводниковые подложки содержат оксид или йодид меди [2] |
| | 21/18 | . . | . | приборов, в которых полупроводниковые подложки содержат элементы IV группы Периодической Системы или соединения AIIIBV с примесями или без них, например материалы с легирующими добавками [2,6,7] |
| | Примечание: | К этой группе относятся также способы и устройства, которые при использовании соответствующей технологии могут применяться для изготовления или обработки устройств, в телах или подложках которых содержатся элементы IV группы Периодической Системы или соединения AIIIBV, даже если используемый материал конкретно не указан. [7] |
|
| | 21/20 | . . | . . | нанесение полупроводниковых материалов на подложку, например эпитаксиальное наращивание [2] |
| | 21/203 | . . | . . | . | физическим осаждением или напылением, например вакуумным распылением или разбрызгиванием [2] |
| | 21/205 | . . | . . | . | разложением газовой смеси с выходом твердого конденсата или химическим осаждением [2] |
| | 21/208 | . . | . . | . | жидкостным напылением [2] |
| | 21/22 | . . | . . | диффузия примесных материалов, например легирующих и электродных материалов, в полупроводниковую подложку или из нее или между полупроводниковыми областями; перераспределение примесей, например без введения или удаления добавочной легирующей примеси |
| | 21/223 | . . | . . | . | диффузия из твердой фазы в газовую или из газовой фазы в твердую [2] |
| | 21/225 | . . | . . | . | диффузия из твердой фазы в твердую фазу или обратно, например легирование оксидного слоя [2] |
| | 21/228 | . . | . . | . | диффузия из твердой фазы в жидкую или обратно, например процессы сплавной диффузии [2] |
| | 21/24 | . . | . . | сплавление примесей, например легирующих и электродных материалов, с полупроводниковой подложкой [2] |
| | 21/26 | . . | . . | воздействие волновым излучением или излучением частиц [2] |
| | 21/261 | . . | . . | . | для осуществления превращения химических элементов в результате ядерной реакции [6] |
| | 21/263 | . . | . . | . | с высокой энергией (H01L 21/261 имеет преимущество) [2,6] |
| | 21/265 | . . | . . | . . | с внедрением ионов [2] |
| | 21/266 | . . | . . | . . | . | с использованием масок [5] |
| | 21/268 | . . | . . | . . | с использованием электромагнитного излучения, например лазерного [2] |
| | 21/28 | . . | . . | изготовление электродов на полупроводниковых подложках с использованием способов и устройств, не предусмотренных в H01L 21/20 - H01L 21/268 [2] |
| | 21/283 | . . | . . | . | осаждением электропроводящих или диэлектрических материалов для электродов [2] |
| | 21/285 | . . | . . | . . | из газа или пара, например способом конденсации [2] |
| | 21/288 | . . | . . | . . | из жидкости, например способом электролитического осаждения [2] |
| | 21/30 | . . | . . | обработка полупроводников с использованием способов и устройств, не предусмотренных в H01L 21/20 - H01L 21/26 (изготовление электродов на полупроводниковых телах H01L 21/28) [2] |
| | 21/301 | . . | . . | . | для подразделения полупроводниковой подложки на отдельные части, например образование перегородок (резка H01L 21/304) [6] |
| | 21/302 | . . | . . | . | для изменения физических свойств или формы их поверхностей, например травление, полирование, резка [2] |
| | 21/304 | . . | . . | . . | механическая обработка, например шлифование, полирование, резка [2] |
| | 21/306 | . . | . . | . . | обработка химическими или электрическими способами, например электролитическое травление (для образования диэлектрических пленок H01L 21/31; последующая обработка диэлектрических пленок H01L 21/3105) [2] |
| | 21/3063 | . . | . . | . . | . | электролитическое травление [6] |
| | 21/3065 | . . | . . | . . | . | плазменное травление; ионное травление [6] |
| | 21/308 | . . | . . | . . | . | с использованием масок (H01L 21/3063,H01L 21/3065 имеют преимущество) [2,6] |
| | 21/31 | . . | . . | . | с целью образования диэлектрических слоев на полупроводниках, например для маскирования или с использованием фотолитографической технологии ( герметизирующих слоев H01L 21/56); последующая обработка этих слоев; выбор материалов для этих слоев [2,5] |
| | 21/3105 | . . | . . | . . | последующая обработка [5] |
| | 21/311 | . . | . . | . . | . | травление [5] |
| | 21/3115 | . . | . . | . . | . | легирование [5] |
| | 21/312 | . . | . . | . . | из органических веществ, например слоев фоторезиста (H01L 21/3105,H01L 21/32 имеют преимущество) [2,5] |
| | 21/314 | . . | . . | . . | из неорганических веществ (H01L 21/3105, H01L 21/32 имеют преимущество) [2,5] |
| | 21/316 | . . | . . | . . | . | из оксидов, стекловидных оксидов или стекла на основе оксидов [2] |
| | 21/318 | . . | . . | . . | . | из нитридов [2] |
| | 21/32 | . . | . . | . . | с использованием масок [2,5] |
| | 21/3205 | . . | . . | . . | осаждение недиэлектрических слоев, например электропроводных или резистивных, на диэлектрические слои; последующая обработка этих слоев (изготовление электродов H01L 21/28) [5] |
| | 21/321 | . . | . . | . . | . | последующая обработка [5] |
| | 21/3213 | . . | . . | . . | . . | физическое или химическое травление слоев, например для образования формы слоя из предварительно нанесенного слоя, образующего фактор экстенсивности [6] |
| | 21/3215 | . . | . . | . . | . . | легирование [5] |
| | 21/322 | . . | . . | . | для модификации их характеристик, например для образования внутренних дефектов кристаллической решетки [2] |
| | 21/324 | . . | . . | . | термическая обработка для модификации характеристик полупроводниковых подложек, например отжиг или спекание (H01L 21/20 - H01L 21/288 и H01L 21/302 - H01L 21/322 имеют преимущество) [2] |
| | 21/326 | . . | . . | . | применение электрического тока или электрических полей, например для электроформования (H01L 21/20 - H01L 21/288 и H01L 21/302 - H01L 21/324 имеют преимущество) [2] |
| | 21/328 | . . | . . | многоступенчатые процессы для изготовления биполярных приборов, например диодов, транзисторов, тиристоров [5] |
| | 21/329 | . . | . . | . | приборов, имеющих один или два электрода, например диодов [5] |
| | 21/33 | . . | . . | . | приборов, имеющих три или более электродов [5] |
| | 21/331 | . . | . . | . . | транзисторов [5] |
| | 21/332 | . . | . . | . . | тиристоров [5] |
| | 21/334 | . . | . . | многоступенчатые процессы для изготовления униполярных приборов [5] |
| | 21/335 | . . | . . | . | полевых транзисторов [5] |
| | 21/336 | . . | . . | . . | с изолированным затвором [5] |
| | 21/337 | . . | . . | . . | с управляющим p-n-переходом [5] |
| | 21/338 | . . | . . | . . | с затвором в виде барьера Шотки [5] |
| | 21/339 | . . | . . | . | приборов с переносом зарядов [5,6] |
| | 21/34 | . . | . | изготовление приборов на полупроводниковых подложках с примесями или без них, например с примесями легирующих материалов, кроме приборов, предусмотренных в H01L 21/06,H01L 21/16 и H01L 21/18[2] |
| | 21/36 | . . | . . | нанесение полупроводниковых материалов на подложку, например эпитаксиальное наращивание [2] |
| | 21/363 | . . | . . | . | с использованием физического осаждения, например вакуумного осаждения или напыления [2] |
| | 21/365 | . . | . . | . | с использованием разложения газовых смесей с выходом твердого конденсата, т.е. химическое осаждение [2] |
| | 21/368 | . . | . . | . | с использованием жидкостного осаждения [2] |
| | 21/38 | . . | . . | диффузия примесных материалов, например легирующих и электродных материалов в полупроводниковую подложку или из нее, или между полупроводниковыми областями [2] |
| | 21/383 | . . | . . | . | диффузия в твердую фазу из газовой фазы, или обратная диффузия [2] |
| | 21/385 | . . | . . | . | диффузия в твердую фазу из твердой фазы, или обратная диффузия, например процесс добавления присадок к окисному слою [2] |
| | 21/388 | . . | . . | . | диффузия в твердую фазу из жидкой фазы, или обратная диффузия, например процессы сплавной диффузии [2] |
| | 21/40 | . . | . . | сплавление примесных материалов, например легирующих материалов, материалов электродов, с полупроводниковой подложкой [2] |
| | 21/42 | . . | . . | воздействие излучением [2] |
| | 21/423 | . . | . . | . | высокой энергией [2] |
| | 21/425 | . . | . . | . . | с внедрением ионов [2] |
| | 21/426 | . . | . . | . . | . | с использованием масок [5] |
| | 21/428 | . . | . . | . . | с использованием электромагнитного излучения, например лазерное излучение [2] |
| | 21/44 | . . | . . | изготовление электродов на полупроводниковых подложках с использованием способов или устройств, не предусмотренных в H01L 21/36 - H01L 21/428 [2] |
| | 21/441 | . . | . . | . | осаждением электропроводящих и диэлектрических материалов для электродов [2] |
| | 21/443 | . . | . . | . . | из газа или пара, например конденсацией [2] |
| | 21/445 | . . | . . | . . | из жидкости, например электролитическим осаждением [2] |
| | 21/447 | . . | . . | . | с использованием давления, например соединение с помощью теплового сжатия (H01L 21/607 имеет преимущество) [2] |
| | 21/449 | . . | . . | . | с использованием механических колебаний, например ультразвуковых [2] |
| | 21/46 | . . | . . | обработка полупроводниковых подложек с использованием способов, не предусмотренных в H01L 21/36 - H01L 21/428 (изготовление электродов на них H01L 21/44) [2] |
| | 21/461 | . . | . . | . | для изменения формы или поверхностных физических характеристик, например травлением, полированием или резкой [2] |
| | 21/463 | . . | . . | . . | обработка механическими способами, например шлифованием, ультразвуком [2] |
| | 21/465 | . . | . . | . . | обработка химическими или электрическими способами, например электролитическое травление (для формования диэлектрического слоя H01L 21/469) [2] |
| | 21/467 | . . | . . | . . | . | с использованием масок [2] |
| | 21/469 | . . | . . | . . | для образования на них диэлектрических слоев, например для маскирования или с использованием фотолитографической технологии (герметизирующих слоев H01L 21/56); последующая обработка этих слоев [2,5] |
| | 21/47 | . . | . . | . . | . | из органических веществ, например слоев фоторезиста (H01L 21/475,H01L 21/4757 имеют преимущество) [2,5] |
| | 21/471 | . . | . . | . . | . | из неорганических веществ (H01L 21/475, H01L 21/4757 имеют преимущество) [2,5] |
| | 21/473 | . . | . . | . . | . . | состоящих из оксидов, стекловидных оксидов или на основе оксидов стекла [2] |
| | 21/475 | . . | . . | . . | . | с использованием масок [2,5] |
| | 21/4757 | . . | . . | . . | . | последующая обработка [5] |
| | 21/4763 | . . | . . | . . | осаждение недиэлектрических слоев, например электропроводных, резистивных, на диэлектрические слои; последующая обработка этих слоев (изготовление электродов H01L 21/28) [5] |
| | 21/477 | . . | . . | . | термическая обработка для модификации свойств полупроводниковых подложек, например отжигом, спеканием (H01L 21/36 - H01L 21/449 и H01L 21/461 - H01L 21/475 имеют преимущество) [2] |
| | 21/479 | . . | . . | . | обработка с использованием электрического тока или электрических полей, например для электроформования (H01L 21/36 - H01L 21/449 и H01L 21/461 - H01L 21/477 имеют преимущество) [2] |
| | 21/48 | . . | . | изготовление или обработка частей, например корпусов, до сборки прибора, с использованием способов, не предусмотренных ни одной из подгрупп H01L 21/06 - H01L 21/326 [2] |
| | 21/50 | . . | . | сборка полупроводниковых приборов с использованием способов или устройств, не предусмотренных ни одной из подгрупп H01L 21/06 - H01L 21/326 [2] |
| | 21/52 | . . | . . | монтаж полупроводниковой подложки в корпусе [2] |
| | 21/54 | . . | . . | заполнение корпуса, например газом [2] |
| | 21/56 | . . | . . | герметизация, например пленками или покрытиями [2] |
| | 21/58 | . . | . . | крепление полупроводникового прибора на опоре [2] |
| | 21/60 | . . | . . | присоединение проводов или других электропроводящих элементов, используемых для подвода или отвода тока в процессе работы прибора [2] |
| | 21/603 | . . | . . | . | с использованием давления, например соединение тепловым сжатием (H01L 21/607 имеет преимущество) [2] |
| | 21/607 | . . | . . | . | с использованием механических колебаний, например ультразвуковых колебаний [2] |
| | 21/62 | . . | приборы, не имеющие потенциального барьера, на котором осуществляется скачкообразное изменение потенциала, или поверхностного барьера [2] |
| | 21/64 | . | изготовление или обработка приборов на твердом теле, иных чем полупроводниковые, или их частей, не предназначенные только для данного типа приборов, предусмотренных в группах H01L 31/00 - H01L 51/00 [2,8] |
| | 21/66 | . | испытания или измерения в процессе изготовления или обработки [2] |
| | 21/67 | . | устройства, специально предназначенные для манипулирования полупроводниковыми или электронными устройствами на твердом теле при их изготовлении или обработке; устройства, специально предназначенные для манипулирования полупроводниковыми пластинами при изготовлении или обработке полупроводниковых или электрических устройств на твердом теле или их компонентов [8] |
| | 21/673 | . . | с использованием специальных держателей [8] |
| | 21/677 | . . | для транспортировки, например между различными рабочими местами [8] |
| | 21/68 | . . | для позиционирования, ориентирования и центрирования [2,8] |
| | 21/683 | . . | для поддержания или захвата ( для изменения положения H01L 21/68) [8] |
| | 21/687 | . . | . | с использованием механических средств, например зажимов, фиксаторов или захватов [8] |
| | 21/70 | . | изготовление и обработка приборов, состоящих из нескольких твердотельных компонентов или интегральных схем, сформированных на общей подложке или внутри нее, или их особых частей; изготовление приборов на интегральных схемах или их особых частей (изготовление блоков, состоящих из предварительно изготовленных электрических элементов, H05K 3/00,H05K 13/00) [2] |
| | 21/71 | . . | изготовление особых частей устройств, относящихся к группам H01L 21/70 (H01L 21/28,H01L 21/44, H01L 21/48 имеют преимущество) [6] |
| | 21/74 | . . | . | получение скрытых подложек с большим содержанием примесей, например скрытых коллекторных слоев, внутренних соединений [2] |
| | 21/76 | . . | . | получение изоляционных областей между компонентами [2] |
| | 21/761 | . . | . . | p-n переходов [6] |
| | 21/762 | . . | . . | диэлектрических областей [6] |
| | 21/763 | . . | . . | поликристаллических полупроводниковых областей [6] |
| | 21/764 | . . | . . | воздушных зазоров [6] |
| | 21/765 | . . | . . | с помощью полевого эффекта [6] |
| | 21/768 | . . | . | с применением межсоединений, используемых для пропускания тока между отдельными компонентами внутри прибора [6] |
| | 21/77 | . . | изготовление или обработка устройств, состоящих из нескольких твердотельных компонентов или интегральных схем, сформированных на общей подложке или внутри неё (электрически программируемые постоянные запоминающие устройства или многоэтапные способы их изготовления H01L 27/115) [6,2006.01, 2017.01] |
| | 21/78 | . . | . | с последующим разделением подложки на несколько отдельных приборов (резка, изменяющая физические свойства поверхности или форму полупроводниковых элементов,H01L 21/304) [2,6] |
| | 21/782 | . . | . . | для получения приборов, каждый из которых состоит из отдельного электрического элемента (H01L 21/82 имеет преимущество) [6] |
| | 21/784 | . . | . . | . | на подложке из полупроводникового материала [6] |
| | 21/786 | . . | . . | . | на подложках из материалов иных, чем полупроводниковые, например изолирующих [6] |
| | 21/82 | . . | . . | для получения приборов, например интегральных схем, каждый из которых состоит из нескольких компонентов [2] |
| | 21/822 | . . | . . | . | полупроводниковых подложек с использованием кремниевой технологии (H01L 21/8258 имеет преимущество) [6] |
| | 21/8222 | . . | . . | . . | технология изготовления интегральных схем на биполярных транзисторах [6] |
| | 21/8224 | . . | . . | . . | . | содержащих комбинации из вертикальных и горизонтальных транзисторов [6] |
| | 21/8226 | . . | . . | . . | . | содержащих объединенную транзисторную логику или интегральную переходную логику [6] |
| | 21/8228 | . . | . . | . . | . | комплементарные приборы, например комплементарные транзисторы [6] |
| | 21/8229 | . . | . . | . . | . | структуры памяти [6] |
| | 21/8232 | . . | . . | . . | технология изготовления интегральных схем на полевых транзисторах [6] |
| | 21/8234 | . . | . . | . . | . | технология изготовления интегральных схем на MIS транзисторах [6] |
| | 21/8236 | . . | . . | . . | . . | комбинация обеднения или обогащения транзисторов [6] |
| | 21/8238 | . . | . . | . . | . . | на комплементарных полевых транзисторах, например КМОП-структуры [6] |
| | 21/8239 | . . | . . | . . | . . | структуры памяти [6] |
| | 21/8242 | . . | . . | . . | . . | . | динамические структуры памяти со случайным доступом (динамические ЗУПВ) [6] |
| | 21/8244 | . . | . . | . . | . . | . | статические структуры памяти со случайным доступом (статические ЗУПВ) [6] |
| | 21/8246 | . . | . . | . . | . . | . | структуры памяти только считывающие (ПЗУ) [6] |
| | 21/8247 | |
| | 21/8248 | . . | . . | . . | комбинация технологий изготовления интегральных схем на биполярных транзисторах и полевых транзисторах [6] |
| | 21/8249 | . . | . . | . . | . | технология изготовления интегральных схем на биполярных транзисторах и МОП-структурах [6] |
| | 21/8252 | . . | . . | . | на подложке из полупроводникового материала с исользованием III-V технологии (H01L 21/8258 имеет преимущество) [6] |
| | 21/8254 | . . | . . | . | на подложке из полупроводникового материала с использованием II-VI технологии (H01L 21/8258 имеет преимущество) [6] |
| | 21/8256 | . . | . . | . | на подложке из полупроводникового материала с использованием технологий, не отнесенных к рубрикам H01L 21/822,H01L 21/8252 или H01L 21/8254 (H01L 21/8258 имеет преимущество) [6] |
| | 21/8258 | . . | . . | . | на подложке из полупроводникового материала с использованием комбинации технологий, рассматриваемых в рубриках H01L 21/822,H01L 21/8252, H01L 21/8254 или H01L 21/8256 [6] |
| | 21/84 | . . | . . | . | на подложке из неполупроводникового материала, например диэлектрика [2,6] |
| | 21/86 | . . | . . | . . | с диэлектриком из сапфира, например структуры кремний на сапфире [2,6] |
| | 21/98 | . . | сборка прибора, состоящего из твердотельных элементов, сформированных на общей подложке; сборка интегральных схем (H01L 21/50 имеет преимущество) [2,5] |
ЕАПО >
РОСПАТЕНТ
> Международная патентная классификация (IPC2017/H/H01L021.htm.01)
