| | Примечания: | (1) В данном подклассе применяемые термины означают следующее:[3] |
| | | | - "монокристалл" - продукт, состоящий преимущественно из монокристаллов, но содержащий также и двойниковые кристаллы; [3] |
| | | | - "гомогенный поликристаллический материал" - материал, состоящий из кристаллических частиц одинакового химического состава; [5] |
| | | | - "определенная структура" - структура материала, состоящего из зерен, ориентированных определенным образом или имеющих размеры больше, чем получаемые в обычных условиях. [5] |
| | | (2) В данном подклассе применяется многоаспектная классификация, поэтому если тематика, характеризуется аспектами, охватываемыми более чем одной группой этого подкласса, то эта тематика должна также классифицироваться в каждой из этих групп. [2012.01] |
| | | (3) В данном подклассе :[3] |
| | | | - получение монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой из особых веществ или особой формы классифицируется как в группе для используемого способа, так и в группе C30B 29/00; [3] |
| | | | - устройства, специально предназначенные для осуществления определенного способа, классифицируются в соответствующей группе для способа. Устройства, используемые в нескольких видах способов, классифицируются в группе C30B 35/00. [3] |
|
| | Содержание:
|
| |
Выращивание монокристаллов из твердого состояния или гелей [3]
|
| | C30B 1/00 | Выращивание монокристаллов непосредственно из твердого состояния (однонаправленное разделение эвтектик на составные части C30B 3/00; под защитной жидкостью C30B 27/00) [3] |
| | C30B 3/00 | Однонаправленное разделение эвтектик на составные части [3] |
| | C30B 5/00 | Выращивание монокристаллов из гелей (под защитной жидкостью C30B 27/00) [3] |
| |
Выращивание монокристаллов из жидкостей; однонаправленное отвердевание эвтектик [3]
|
| | C30B 7/00 | Выращивание монокристаллов из растворов с использованием растворителей, являющихся жидкими при обычной температуре, например из водных растворов (из расплавленных растворителей C30B 9/00; обычным замораживанием или замораживанием при температурном градиенте C30B 11/00; под защитной жидкостью C30B 27/00) [3] |
| | C30B 9/00 | Выращивание монокристаллов из расплавов с использованием расплавленных растворителей (обычным замораживанием или замораживанием при температурном градиенте C30B 11/00; зонной плавкой C30B 13/00; вытягиванием кристаллов C30B 15/00; на погруженном затравочном кристалле C30B 17/00; жидкофазным выращиванием эпитаксиальных слоев C30B 19/00; под защитной жидкостью C30B 27/00) [3] |
| | C30B 11/00 | Выращивание монокристаллов обычным замораживанием или замораживанием при температурном градиенте, например по методу Бриджмена-Стокбаргера (C30B 13/00, C30B 15/00,C30B 17/00,C30B 19/00 имеют преимущество; под защитной жидкостью C30B 27/00) [3] |
| | C30B 13/00 | Выращивание монокристаллов зонной плавкой; очистка зонной плавкой (C30B 17/00 имеет преимущество; изменением поперечного сечения обрабатываемого твердого тела C30B 15/00; под защитной жидкостью C30B 27/00; для выращивания гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой C30B 28/00; зонная очистка особых материалов классифицируется в соответствующих подклассах для материалов) [3,5] |
| | C30B 15/00 | Выращивание монокристаллов вытягиванием из расплава, например по методу Чохральского (под защитной жидкостью C30B 27/00) [3] |
| | C30B 17/00 | Выращивание монокристаллов на затравочном кристалле, остающемся в расплаве в процессе выращивания, например по методу Накена-Киропулоса (C30B 15/00 имеет преимущество) [3] |
| | C30B 19/00 | Жидкофазное выращивание эпитаксиальных слоев [3] |
| | C30B 21/00 | Однонаправленное отвердевание эвтектик [3] |
| |
Выращивание монокристаллов из паров [3]
|
| | C30B 23/00 | Выращивание монокристаллов конденсацией испаряемого или сублимируемого материала [3] |
| | C30B 25/00 | Выращивание монокристаллов путем химических реакций реакционноспособных газов, например химическим осаждением из паровой фазы [3] |
| | C30B 27/00 | Выращивание монокристаллов под защитной жидкостью [3] |
| | C30B 28/00 | Получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой [5] |
| | C30B 29/00 | Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой [3,5] |
| | C30B 30/00 | Производство монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой, отличающееся воздействием электрического или магнитного полей, волновой энергии или других специфических физических условий [5] |
| |
Последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой [3,5]
|
| | C30B 31/00 | Способы диффузии или легирования монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для этих целей [3,5] |
| | C30B 33/00 | Последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (C30B 31/00 имеет преимущество) [3,5] |
| | C30B 35/00 | Устройства вообще, специально предназначенные для выращивания, получения или последующей обработки монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой [3,5] |
ЕАПО >
РОСПАТЕНТ
> Международная патентная классификация (IPC2016/C/C30B.htm.01)
