ЕАПО > РОСПАТЕНТ > Международная патентная классификация (IPC2015/H/H01L033.htm.01)

Руководство к МПК Текст МПК (2022.01) Текст МПК (2021.01) Текст МПК (2020.01) Текст МПК (2019.01) Текст МПК (2018.01) Текст МПК (2017.01) Текст МПК (2016.01) Текст МПК (2015.01) Текст МПК (2014.01) Текст МПК (2013.01) Текст МПК (2012.01) Текст МПК (2011.01) Текст МПК (2010.01) Текст МПК (2009.01)  A   B   C   D   E   F   G   H  IPC-English IPC-France

H01L 33/00 - Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов (H01L 51/50 имеет преимущество; приборы, состоящие из множества полупроводниковых компонентов, сформированных на общей подложке или внутри ее, и включающие в себя полупроводниковые компоненты, по меньшей мере, с одним потенциальным барьером, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностным барьером, специально предназначенные для излучения света H01L 27/15; полупроводниковые лазеры H 01S 5/00) [2,8,2010.01]   Примечания: (1) Эта группа охватывает светоизлучающие диоды (LEDs) или суперлюминисцентные диоды (SLDs), включающие в себя LEDs или SLDs, излучающие инфракрасный свет (IR) или ультрафиолетовый (UV). [2010.01]     (2) В этой группе применяется правило первой подходящей рубрики, т.е. на каждом иерархическом уровне в случае отсутствия особого указания классификация проводится по первой подходящей рубрике. [2010.01]   33/02 .  характеризующиеся полупроводниковыми телами [2010.01]   33/04 . .  со структурой с квантовыми эффектами или сверхрешеткой, например с туннельным переходом [2010.01]   33/06 . .  .  в светоизлучающей области, например структуры с квантовым ограничением или туннельным барьером [2010.01]   33/08 . .  с множеством светоизлучающих областей, например, с боковым прерывистым светоизлучающим слоем или фотолюминесцентной областью, встроенной в полупроводниковое тело (H01L 27/15 имеет преимущество) [2010.01]   33/10 . .  со светоизлучающей структурой, например полупроводниковый отражатель Брэгга [2010.01]   33/12 . .  со структурой с релаксацией напряжений, например буферный слой [2010.01]   33/14 . .  со структурой, управляющей переносом носителей зарядов, например сильнолегированный полупроводниковый слой или структура с блокировкой тока [2010.01]   33/16 . .  с особенной структурой кристалла или ориентацией, например поликристаллической, аморфной или пористой [2010.01]   33/18 . .  .  внутри светоизлучающей области [2010.01]   Примечание: При классифицировании в этой группе классифицирование также проводится в группе H01L 33/26 или в одной из ее подгрупп, чтобы указать химический состав светоизлучающей области [2010.01]   33/20 . .  с особенной формой, например искривленной или усеченной подложкой [2010.01]   33/22 . .  .  шероховатые поверхности, например на границе между эпитаксиальными слоями [2010.01]   33/24 . .  .  светоизлучающей области, например не плоский переход [2010.01]   33/26 . .  материалы светоизлучающей области [2010.01]   33/28 . .  .  содержащие только элементы II группы и VI группы периодической системы [2010.01]   33/30 . .  .  содержащие только элементы III группы и V группы периодической системы [2010.01]   33/32 . .  . .  содержащие азот [2010.01]   33/34 . .  .  содержащие только элементы IV группы периодической системы [2010.01]   33/36 .  характеризуемые электродами [2010.01]   33/38 . .  особой формы [2010.01]   33/40 . .  материалы для них [2010.01]   33/42 . .  .  прозрачные материалы [2010.01]   33/44 .  характеризуемые покрытием, например пассивирующий слой или анти-отражающее покрытие [2010.01]   33/46 . .  отражающим покрытием, например диэлектрический отражатель Брэгга [2010.01]   33/48 .  характеризуемые корпусами полупроводникового тела [2010.01]   Примечание: Эта группа охватывает элементы, находящиеся в тесном контакте с полупроводниковым телом или встроенные в корпус. [2010.01]   33/50 . .  элементы преобразования длины волны [2010.01]   33/52 . .  герметичные корпуса [2010.01]   33/54 . .  .  имеющие особую форму [2010.01]   33/56 . .  .  материалы, например эпоксидная или силиконовая смола [2010.01]   33/58 . .  оптические элементы, формирующие поле [2010.01]   33/60 . .  .  отражающие элементы [2010.01]   33/62 . .  устройства для подвода электрического тока к полупроводниковому телу или отвода от полупроводникового тела, например рамка с выводами, проволочные выводы или шариковые выводы [2010.01]   33/64 . .  элементы для отвода тепла или охлаждающие элементы [2010.01]