| | 31/02 | . | конструктивные элементы [2] |
| | 31/0203 | . . | корпуса; герметизация (для фотоэлектрических устройств H01L 31/048; для органических фоточувствительных устройств H01L 51/44) [5,2014.01] |
| | 31/0216 | . . | покрытия (H01L 31/041 имеет преимущество) [5,2014.01] |
| | 31/0224 | . . | электроды [5] |
| | 31/0232 | . . | оптические элементы или приспособления, связанные с прибором (H01L 31/0236 имеет преимущество; для фотоэлектрических элементов H01L 31/054; для фотоэлектрических модулей H02S 40/20) [5,2014.01] |
| | 31/0236 | . . | специальные поверхностные рельефы [5] |
| | 31/024 | . . | приспособления для охлаждения, нагревания, вентиляции или температурной компенсации (для фотоэлектрических устройств H01L 31/052 ) [5,2014.01] |
| | 31/0248 | . | характеризуемые полупроводниковой подложкой [5] |
| | 31/0256 | . . | отличающиеся материалом кристалла [5] |
| | 31/0264 | . . | . | неорганическим материалом [5] |
| | 31/0272 | . . | . . | использованием селена или теллура [5] |
| | 31/028 | . . | . . | содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только химические элементы IV группы Периодической Системы [5] |
| | 31/0288 | . . | . . | . | характеризуемые легирующим веществом [5] |
| | 31/0296 | . . | . . | содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения типа AIIBVI, например CdS, ZnS, HgCdTe [5] |
| | 31/0304 | . . | . . | содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения типа AIIIBV [5] |
| | 31/0312 | . . | . . | содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения типа AIVBIV, например SiC [5] |
| | 31/032 | . . | . . | содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения, не предусмотренные в рубриках 31/0272-31/0312 [5] |
| | 31/0328 | . . | . . | содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, полупроводниковые материалы, предусмотренные в двух или более рубриках 31/0272-31/032 [5] |
| | 31/0336 | . . | . . | . | в различных полупроводниковых областях, например гетеропереходах Cu2X - CdX, где X - элемент VI группы Периодической Системы [5] |
| | 31/0352 | . . | характеризуемые формой или формами, относительными размерами или расположением полупроводниковых областей [5] |
| | 31/036 | . . | отличающиеся кристаллической структурой или особой ориентацией кристаллографических плоскостей [5] |
| | 31/0368 | . . | . | содержащие поликристаллические полупроводники (31/0392 имеет преимущество) [5] |
| | 31/0376 | . . | . | содержащие аморфные полупроводники (31/0392 имеет преимущество) [5] |
| | 31/0384 | . . | . | содержащие другие немонокристаллические материалы, например полупроводниковые частицы, внедренные в диэлектрик (31/0392 имеет преимущество) [5] |
| | 31/0392 | . . | . | содержащие тонкие пленки, осажденные на металлические или диэлектрические подложки [5] |
| | 31/04 | . | предназначенные для работы в качестве фотоэлектрических преобразователей, например фотоэлектрические модули или единичные фотоэлектрические элементы (проверка их в процессе изготовления H01L 21/66; проверка их после изготовления H02S 50/10) [2,2014.01] |
| | 31/041 | . . | меры для предотвращения повреждений, вызванных корпускулярным излучением, например для использования в космосе [2014.01
|
| | 31/042 | . . | фотоэлектрические модули или матрицы единичных фотоэлектрических элементов (несколько тонкоплёночных солнечных элементов на общей подложке H01L 27/142; опорные подложки для фотоэлектрических H02S 20/00) [5,2014.01] |
| | 31/043 | . . | . | механически пакетированные фотоэлектрические элементы [2014.01] |
| | 31/044 | . . | . | включающие в себя шунтирующие диоды (шунтирующие диоды в электромонтажных коробках H02S 40/34) [2014.01] |
| | 31/0443 | . . | . . | содержащие шунтирующие диоды, встроенные или непосредственно соединенные с устройствами, например шунтирующие диоды, встроенные или сформированные внутри или на той же самой подложке, что и фотоэлектрические элементы [2014.01] |
| | 31/0445 | . . | . | включающие в себя тонкоплёночные солнечные элементы, например единичные тонкоплёночные Si, CIS или CdTe солнечные элементы [2014.01] |
| | 31/046 | . . | . . | фотоэлектрические модули, состоящие из нескольких тонкоплёночных солнечных элементов, расположенных на одной подложке [2014.01] |
| | 31/0463 | . . | . . | . | отличающиеся особыми способами формирования рисунка для соединения фотоэлектрических элементов в модуле, например лазерная резка проводящих или активных слоёв [2014.01] |
| | 31/0465 | . . | . . | . | содержащие особые конструкции для электрического взаимодействия соседних фотоэлектрических ячеек в модуле (H01L 31/0463 имеет преимущество) [2014.01] |
| | 31/0468 | . . | . . | . | содержащие специальные средства для получения частичного пропускания света через модуль, например частично прозрачные тонкоплёночные солнечные модули для окон {2014.01] |
| | 31/047 | . . | . | матрицы фотоэлектрических элементов включающие в себя фотоэлектрические элементы с несколькими вертикальными переходами или несколькими переходами с V-образными канавками, сформированными в полупроводниковой подложке [2014.01] |
| | 31/0475 | . . | . | матрицы фотоэлектрических элементов, выполненные с помощью элементов, расположенных в одной плоскости, например повторяющихся, на единственной полупроводниковой подложке; микроматрицы фотоэлектрических элементов (фотоэлектрические модули, состоящие из нескольких тонкоплёночных солнечных элементов, расположенных на одной подложке H01L 31/046) [2014.01] |
| | 31/048 | . . | . | изолирование модулей [5,2014.01] |
| | 31/049 | . . | . . | защитные задние листы [2014.01] |
| | 31/05 | . . | . | электрические средства взаимодействия между фотоэлектрическими элементами внутри фотоэлектрического модуля, например при последовательном включении фотоэлектрических элементов (электроды H01L 31/0224; электрическое взаимодействие тонкоплёночных солнечных элементов, сформированных на общей подложке H01L 27/142; средства взаимодействия, специально предназначенные для электрического соединения двух или более фотоэлектрических модулей H02S 40/36 ) [5,2014.01] |
| | 31/052 | . . | средства охлаждения непосредственно связанные или встроенные в фотоэлектрический элемент, например встроенные элементы Пельтье для активного охлаждения или радиаторы, непосредственно соединенные с фотоэлектрическими элементами (средства охлаждения, объединенные с фотоэлектрическим модулем H02S 40/42) [5,2014.01] |
| | 31/0525 | . . | . | включающие в себя средства для утилизации тепловой энергии, непосредственно связанные с фотоэлектрическим элементом, например встроенные элементы Зеебека [2014.01] |
| | 31/053 | . . | средства накопления энергии, связанные или встроенные в фотоэлектрический элемент, например конденсатор, встроенный в фотоэлектрический элемент (средства накопления энергии, связанные с фотоэлектрическим модулем H02S 40/38) [2014.01
|
| | 31/054 | . . | оптические элементы, непосредственно связанные или объединённые с фотоэлектрическим элементом, например светоотражающие средства или светоконцентрирующие средства [2014.01
|
| | 31/055 | . . | . | в которых свет поглощается и повторно излучается на другой длине волны оптическим элементом, непосредственно связанным или объединенным с фотоэлектрическим элементом, например с помощью люминесцентного материала, флуоресцентных концентраторов или устройств преобразования с повышением частоты [5,2014.01] |
| | 31/056 | . . | . | светоотражающие средства, являющиеся рефлектором типа рефлектора с тыльной поверхностью [BSR] [2014.01] |
| | 31/06 | . . | характеризуемые, по меньшей мере, одним потенциальным барьером, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностным барьером [2,2012.01] |
| | 31/061 | . . | . | потенциальные барьеры типа точечного контакта (H01L 31/07 имеет преимущество) [2012.01] |
| | 31/062 | . . | . | с потенциальными барьерами только типа металл-диэлектрик-полупроводник [5,2012.01] |
| | 31/065 | . . | . | с потенциальными барьерами только с плавно изменяющейся запрещенной зоной [5,2012.01] |
| | 31/068 | . . | . | потенциальные барьеры только типа барьеров с p-n гомоструктурным переходом, например монолитные кремниевые p-n гомоструктурные солнечные батареи или кремниевые поликристаллические тонкопленочные p-n гомоструктурные солнечные батареи [5,2012.01] |
| | 31/0687 | . . | . . | многопереходные или двухкаскадные солнечные батареи [2012.01] |
| | 31/0693 | . . | . . | устройства, включающие в себя, за исключением примесного материала или других примесей, только соединения AIIIBV, например GaAs или InP солнечные батареи [2012.01] |
| | 31/07 | . . | . | с потенциальными барьерами только типа Шотки [5,2012.01] |
| | 31/072 | . . | . | потенциальные барьеры только типа барьеров с p-n гетероструктурным переходом [5,2012.01] |
| | 31/0725 | . . | . . | многопереходные или двухкаскадные солнечные батареи [2012.01] |
| | 31/073 | . . | . . | содержащие только полупроводниковые соединения AIIBVI, например CdS/CdTe солнечные батареи [2012.01] |
| | 31/0735 | . . | . . | содержащие только полупроводниковые соединения AIIIBV, например GaAs/AlGaAs или InP/GaInAs солнечные батареи [2012.01] |
| | 31/074 | . . | . . | содержащие гетероструктурный переход с элементом VI группы Периодической Системы, например ITO/Si, GaAs/Si или CdTe/Si солнечные батареи [2012.01] |
| | 31/0745 | . . | . . | содержащие AIVBIV гетероструктурный переход, например Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC солнечные батареи [2012.01] |
| | 31/0747 | . . | . . | . | содержащие гетероструктурный переход из кристаллических или аморфных материалов, например гетероструктурный переход с собственным тонким слоем или HIT® солнечные батареи [2012.01] |
| | 31/0749 | . . | . . | включающие в себя AIBIIICVI соединения, например солнечные батареи CdS/CuInSe2 (CIS) с гетероструктурным переходом [2012.01] |
| | 31/075 | . . | . | потенциальные барьеры только p-i-n типа, например аморфные силиконовые p-i-n солнечные батареи [5,2012.01] |
| | 31/076 | . . | . . | многопереходные или двухкаскадные солнечные батареи [2012.01] |
| | 31/077 | . . | . . | устройства, содержащие монокристаллические или поликристаллические материалы [2012.01] |
| | 31/078 | . . | . | включающие в себя разные типы потенциальных барьеров, предусмотренные в двух или более группах H01L 31/061-H01L 31/075 [5,2012.01] |
| | 31/08 | . | в которых излучение управляет током, проходящим через прибор, например фоторезисторы [2] |
| | 31/09 | . . | приборы, чувствительные к инфракрасному, видимому или ультрафиолетовому излучению (31/101 имеет преимущество) [5] |
| | 31/10 | . . | характеризуемые наличием, по меньшей мере, одного поверхностного барьера или потенциального барьера, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, например фототранзисторы [2] |
| | 31/101 | . . | . | чувствительные к инфракрасному, видимому или ультрафиолетовому излучению [5] |
| | 31/102 | . . | . . | характеризуемые наличием только одного потенциального или поверхностного барьера [5] |
| | 31/103 | . . | . . | . | с потенциальным барьером в виде p-n перехода [5] |
| | 31/105 | . . | . . | . | с потенциальным барьером p-i-n типа [5] |
| | 31/107 | . . | . . | . | с потенциальным барьером, работающим в лавинном режиме, например лавинные фотодиоды [5] |
| | 31/108 | . . | . . | . | с потенциальным барьером Шотки [5] |
| | 31/109 | . . | . . | . | с потенциальным барьером в виде p-n гетероперехода [5] |
| | 31/11 | . . | . . | характеризуемые наличием двух потенциальных или поверхностных барьеров, например биполярные фототранзисторы [5] |
| | 31/111 | . . | . . | характеризуемые наличием трех потенциальных барьеров, например фототиристоры [5] |
| | 31/112 | . . | . . | характеризуемые действием полевого эффекта, например плоскостные полевые фототранзисторы [5] |
| | 31/113 | . . | . . | . | со структурой типа проводник-диэлектрик-полупроводник, например полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик-полупроводник [5] |
| | 31/115 | . . | . | приборы, чувствительные к волнам очень короткой длины, например рентгеновскому излучению, гамма-излучению или корпускулярному излучению [5] |
| | 31/117 | . . | . . | детекторы излучения, основанные на использовании объемного эффекта, например германиево-литиевые детекторы гамма-излучения с компенсированным p-i-n-переходом [5] |
| | 31/118 | . . | . . | детекторы, основанные на использовании поверхностного барьера, или неглубокого p-n перехода, например детекторы альфа-частиц с использованием поверхностного барьера [5] |
| | 31/119 | . . | . . | характеризуемые использованием полевого эффекта, например детекторы со структурой типа металл-диэлектрик-полупроводник [5] |
| | 31/12 | . | связанные с одним или несколькими электрическими, например электролюминесцентными, источниками света конструктивным путем, например путем формирования на общей подложке или внутри нее, и кроме того электрически или оптически связанные с этими источниками света (электролюминесцентные источники света как таковые H 05B 33/00) [2,5] |
| | 31/14 | . . | с одним или несколькими источниками света, управляемыми полупроводниковыми приборами, чувствительными к излучению, например электронно-оптические преобразователи, электронно-оптические усилители изображения, электронно-оптические устройства для запоминания изображения [2] |
| | 31/147 | . . | . | полупроводниковые приборы - источники света и приборы, чувствительные к излучению - отличающиеся наличием по меньшей мере одного потенциального или поверхностного барьера [5] |
| | 31/153 | . . | . . | сформированные на общей подложке или внутри нее [5] |
| | 31/16 | . . | с полупроводниковым прибором, чувствительным к излучению и управляемым одним или несколькими источниками света [2] |
| | 31/167 | . . | . | полупроводниковые приборы - источники света и приборы, чувствительные к излучению - отличающиеся наличием по меньшей мере одного потенциального или поверхностного барьера [5] |
| | 31/173 | . . | . . | сформированные на общей подложке или внутри нее [5] |
| | 31/18 | . | способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей [2] |
| | 31/20 | . . | приборы или их части, содержащие аморфный полупроводниковый материал [5] |
ЕАПО >
РОСПАТЕНТ
> Международная патентная классификация (IPC2015/H/H01L031.htm.01)
