ЕАПО > РОСПАТЕНТ > Международная патентная классификация (IPC2012/H/H01L031.htm.01)

Руководство к МПК Текст МПК (2022.01) Текст МПК (2021.01) Текст МПК (2020.01) Текст МПК (2019.01) Текст МПК (2018.01) Текст МПК (2017.01) Текст МПК (2016.01) Текст МПК (2015.01) Текст МПК (2014.01) Текст МПК (2013.01) Текст МПК (2012.01) Текст МПК (2011.01) Текст МПК (2010.01) Текст МПК (2009.01)  A   B   C   D   E   F   G   H  IPC-English IPC-France

H01L 31/00 - Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов (51/42 имеет преимущество; приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированных на общей подложке или внутри нее, кроме приборов, содержащих чувствительные к излучению компоненты, в комбинации с одним или несколькими электрическими источниками света 27/00) [2,6,8]   31/02 .  конструктивные элементы [2]   31/0203 . .  корпусы; герметизирующие средства бескорпусных приборов [5]   31/0216 . .  покрытия [5]   31/0224 . .  электроды [5]   31/0232 . .  оптические элементы или приспособления, связанные с прибором [5]   31/0236 . .  специальные поверхностные рельефы [5]   31/024 . .  приспособления для охлаждения, нагревания, вентиляции или температурной компенсации [5]   31/0248 .  характеризуемые полупроводниковой подложкой [5]   31/0256 . .  отличающиеся материалом кристалла [5]   31/0264 . .  .  неорганическим материалом [5]   31/0272 . .  . .  использованием селена или теллура [5]   31/028 . .  . .  содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только химические элементы четвертой группы Периодической Системы [5]   31/0288 . .  . .  .  характеризуемые легирующим веществом [5]   31/0296 . .  . .  содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения типа AIIBVI, например CdS, ZnS, HgCdTe [5]   31/0304 . .  . .  содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения типа AIIIBV [5]   31/0312 . .  . .  содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения типа AIVBIV, например SiC [5]   31/032 . .  . .  содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения, не предусмотренные в рубриках 31/0272-31/0312 [5]   31/0328 . .  . .  содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, полупроводниковые материалы, предусмотренные в двух или более рубриках 31/0272-31/032 [5]   31/0336 . .  . .  .  в различных полупроводниковых областях, например гетеропереходах Cu2X - CdX, где X - элемент шестой группы Периодической Системы [5]   31/0352 . .  характеризуемые формой или формами, относительными размерами или расположением полупроводниковых областей [5]   31/036 . .  отличающиеся кристаллической структурой или особой ориентацией кристаллографических плоскостей [5]   31/0368 . .  .  содержащие поликристаллические полупроводники (31/0392 имеет преимущество) [5]   31/0376 . .  .  содержащие аморфные полупроводники (31/0392 имеет преимущество) [5]   31/0384 . .  .  содержащие другие немонокристаллические материалы, например полупроводниковые частицы, внедренные в диэлектрик (31/0392 имеет преимущество) [5]   31/0392 . .  .  содержащие тонкие пленки, осажденные на металлические или диэлектрические подложки [5]   31/04 .  предназначенные для работы в качестве преобразователей [2]   31/042 . .  содержащие панели или матрицы фотоэлектрических элементов, например солнечных элементов [5]   31/045 . .  .  складные [5]   31/048 . .  .  герметизированные бескорпусные или с корпусом [5]   31/05 . .  .  отличающиеся специальными межсоединениями [5]   31/052 . .  .  с охлаждающими, светоконцентрирующими или светоотражающими средствами [5]   31/055 . .  . .  в которых световое излучение поглощается и вторично излучается с отличной длиной волны при помощи концентратора, например с использованием люминесцентных материалов [5]   31/058 . .  .  содержащие средства для использования тепловой энергии, например гибридные системы, или добавочные источники электрической энергии [5]   31/06 . .  характеризуемые, по меньшей мере, одним потенциальным барьером, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностным барьером [2,2012.01]   31/061 . .  .  потенциальные барьеры типа точечного контакта (H01L 31/07 имеет преимущество) [2012.01]   31/062 . .  .  с потенциальными барьерами только типа металл-диэлектрик-полупроводник [5,2012.01]   31/065 . .  .  с потенциальными барьерами только с плавно изменяющейся запрещенной зоной [5,2012.01]   31/068 . .  .  потенциальные барьеры только типа барьеров с p-n гомоструктурным переходом, например монолитные кремниевые p-n гомоструктурные солнечные батареи или кремниевые поликристаллические тонкопленочные p-n гомоструктурные солнечные батареи [5,2012.01]   31/0687 . .  . .  многопереходные или двухкаскадные солнечные батареи [2012.01]   31/0693 . .  . .  устройства, включающие в себя, за исключением примесного материала или других примесей, только соединения AIIIBV, например GaAs или InP солнечные батареи [2012.01]   31/07 . .  .  с потенциальными барьерами только типа Шотки [5,2012.01]   31/072 . .  .  потенциальные барьеры только типа барьеров с p-n гетероструктурным переходом [5,2012.01]   31/0725 . .  . .  многопереходные или двухкаскадные солнечные батареи [2012.01]   31/073 . .  . .  содержащие только полупроводниковые соединения AIIBVI, например CdS/CdTe солнечные батареи [2012.01]   31/0735 . .  . .  содержащие только полупроводниковые соединения AIIIBV, например GaAs/AlGaAs или InP/GaInAs солнечные батареи [2012.01]   31/074 . .  . .  содержащие гетероструктурный переход с элементом четвертой группы Периодической таблицы, например ITO/Si, GaAs/Si или CdTe/Si солнечные батареи [2012.01]   31/0745 . .  . .  содержащие AIVBIV гетероструктурный переход, например Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC солнечные батареи [2012.01]   31/0747 . .  . .  .  содержащие гетероструктурный переход из кристаллических или аморфных материалов, например гетероструктурный переход с собственным тонким слоем или HIT® солнечные батареи [2012.01]   31/0749 . .  . .  включающие в себя AIBIIICVI соединения, например солнечные батареи CdS/CuInSe2 (CIS) с гетероструктурным переходом [2012.01]   31/075 . .  .  потенциальные барьеры только p-i-n типа, например аморфные силиконовые p-i-n солнечные батареи [5,2012.01]   31/076 . .  . .  многопереходные или двухкаскадные солнечные батареи [2012.01]   31/077 . .  . .  устройства, содержащие монокристаллические или поликристаллические материалы [2012.01]   31/078 . .  .  включающие в себя разные типы потенциальных барьеров, предусмотренные в двух или более группах H01L 31/061-H01L 31/075 [5,2012.01]   31/08 .  в которых излучение управляет током, проходящим через прибор, например фоторезисторы [2]   31/09 . .  приборы, чувствительные к инфракрасному, видимому или ультрафиолетовому излучению (31/101 имеет преимущество) [5]   31/10 . .  характеризуемые наличием, по меньшей мере, одного поверхностного барьера или потенциального барьера, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, например фототранзисторы [2]   31/101 . .  .  чувствительные к инфракрасному, видимому или ультрафиолетовому излучению [5]   31/102 . .  . .  характеризуемые наличием только одного потенциального или поверхностного барьера [5]   31/103 . .  . .  .  с потенциальным барьером в виде p-n перехода [5]   31/105 . .  . .  .  с потенциальным барьером p-i-n типа [5]   31/107 . .  . .  .  с потенциальным барьером, работающим в лавинном режиме, например лавинные фотодиоды [5]   31/108 . .  . .  .  с потенциальным барьером Шотки [5]   31/109 . .  . .  .  с потенциальным барьером в виде p-n гетероперехода [5]   31/11 . .  . .  характеризуемые наличием двух потенциальных или поверхностных барьеров, например биполярные фототранзисторы [5]   31/111 . .  . .  характеризуемые наличием трех потенциальных барьеров, например фототиристоры [5]   31/112 . .  . .  характеризуемые действием полевого эффекта, например плоскостные полевые фототранзисторы [5]   31/113 . .  . .  .  со структурой типа проводник-диэлектрик-полупроводник, например полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик-полупроводник [5]   31/115 . .  .  приборы, чувствительные к волнам очень короткой длины, например рентгеновскому излучению, гамма-излучению или корпускулярному излучению [5]   31/117 . .  . .  детекторы излучения, основанные на использовании объемного эффекта, например германиево-литиевые детекторы гамма-излучения с компенсированным p-i-n-переходом [5]   31/118 . .  . .  детекторы, основанные на использовании поверхностного барьера, или неглубокого p-n перехода, например детекторы альфа-частиц с использованием поверхностного барьера [5]   31/119 . .  . .  характеризуемые использованием полевого эффекта, например детекторы со структурой типа металл-диэлектрик-полупроводник [5]   31/12 .  связанные с одним или несколькими электрическими, например электролюминесцентными, источниками света конструктивным путем, например путем формирования на общей подложке или внутри нее, и кроме того электрически или оптически связанные с этими источниками света (электролюминесцентные источники света как таковые H 05B 33/00) [2,5]   31/14 . .  с одним или несколькими источниками света, управляемыми полупроводниковыми приборами, чувствительными к излучению, например электронно-оптические преобразователи, электронно-оптические усилители изображения, электронно-оптические устройства для запоминания изображения [2]   31/147 . .  .  полупроводниковые приборы - источники света и приборы, чувствительные к излучению - отличающиеся наличием по меньшей мере одного потенциального или поверхностного барьера [5]   31/153 . .  . .  сформированные на общей подложке или внутри нее [5]   31/16 . .  с полупроводниковым прибором, чувствительным к излучению и управляемым одним или несколькими источниками света [2]   31/167 . .  .  полупроводниковые приборы - источники света и приборы, чувствительные к излучению - отличающиеся наличием по меньшей мере одного потенциального или поверхностного барьера [5]   31/173 . .  . .  сформированные на общей подложке или внутри нее [5]   31/18 .  способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей [2]   31/20 . .  приборы или их части, содержащие аморфный полупроводниковый материал [5]